2018年標(biāo)志性的轉(zhuǎn)變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅(qū)逆變器中，為碳化硅技術(shù)在電動汽車中的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。此后，多家國內(nèi)新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應(yīng)用。新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，如800V高壓快充，以及新能源汽車市場的持續(xù)擴(kuò)張，促進(jìn)了碳化硅的飛速發(fā)展。
隨著800V碳化硅技術(shù)日益普及，善仁新材的燒結(jié)銀技術(shù)為汽車電力電子產(chǎn)品封裝提供了革命性的解決方案，其應(yīng)用前景備受關(guān)注。
AS9378燒結(jié)銀的低溫低壓燒結(jié)效果好：為了適應(yīng)大面積燒結(jié)，燒結(jié)銀膏需要較低的溫度和壓力下達(dá)到良好的燒結(jié)效果，同時需要確保燒結(jié)質(zhì)量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問題。
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