晶圓是半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓的原始材料是硅，而硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是由硅元素加以純化（可達(dá)到99.999%），接著將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，之后經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等一系列程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。硅晶圓的制造可被歸納為三個基本步驟，分別是硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。目前晶圓制造過程涉及的材料有硅片、掩膜版、電子氣體、光刻膠配套試劑、CMP材料、工業(yè)化學(xué)品、光刻膠、靶材等等，其中硅片在各材料占比為31%，是晶圓的重要組成部分

晶圓隨著芯片技術(shù)升級和降低成本需要而不斷發(fā)展。在降低成本方面，通過不斷變大晶圓尺寸以容納更多電路和減少廢棄比例就是晶圓的歷史發(fā)展趨勢。從1970年代至今，晶圓尺寸已經(jīng)由過去的100mm（4英寸）發(fā)展至當(dāng)前的300mm（12英寸）。根據(jù)IC Insight統(tǒng)計(jì)，2016年全球晶圓出貨量為10738百萬平方英寸，其中300mm晶圓占全球晶圓產(chǎn)能的63.6%，預(yù)計(jì)到2021年，全球?qū)⒂?23家12英寸晶圓廠，產(chǎn)能占比將達(dá)到71.2%。由于目前18英寸晶圓技術(shù)尚未成熟，且成本高昂，需求不足，未來幾年內(nèi)300mm（12英寸）晶圓仍將是主流技術(shù)路線

校準(zhǔn)區(qū)截面呈方形，晶圓上料裝置和晶圓收料裝置對應(yīng)設(shè)置在方形的相鄰兩側(cè)邊，晶圓取放裝置對應(yīng)設(shè)置在晶圓上料裝置和邊緣式校準(zhǔn)器之間，且自動導(dǎo)片機(jī)還包括位于校準(zhǔn)區(qū)的負(fù)離子發(fā)生器。這樣設(shè)置，結(jié)構(gòu)緊湊，設(shè)備運(yùn)行，同時，負(fù)離子發(fā)生器可產(chǎn)生大量帶有正負(fù)電荷的氣流，可以將晶圓檢測區(qū)內(nèi)的物體表面所帶電荷中和。

由于激光在聚焦上的優(yōu)點(diǎn)，聚焦點(diǎn)可小到亞微米數(shù)量級，從而對晶圓的微處理更具有優(yōu)勢，可以進(jìn)行小部件的加工。即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效進(jìn)行材料加工。激光劃片屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其它損壞現(xiàn)象。

晶圓制造廠把這些多晶硅融解，再在融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。

晶圓的集成電路制造，為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝，在硅晶圓正面制作完集成電路后，需要進(jìn)行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝，是在晶圓的正面貼一層膜保護(hù)已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過研磨機(jī)來進(jìn)行減薄。晶圓背面研磨減薄后，表面會形成一層損傷層，且翹曲度高，容易破片。為了解決這些問題，需要對晶圓背面進(jìn)行濕法硅腐蝕，去除損傷層，釋放晶圓應(yīng)力，減小翹曲度及使表面粗糙化。使用槽式的濕法機(jī)臺腐蝕時，晶圓正面及背面均與腐蝕液接觸，正面貼的膜耐腐蝕，從而保護(hù)正面的集成電路。使用單片作業(yè)的濕法機(jī)臺，晶圓的正面通常已被機(jī)臺保護(hù)起來，不會與腐蝕液或者腐蝕性的氣體有接觸，可以撕膜后再進(jìn)行腐蝕。

在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時的一個常見的推薦是，選擇盡可能薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20μm)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30μm。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓,在半導(dǎo)體芯片的制作過程中,在晶圓表面形成多個芯片區(qū)域后,需要先在間隔處劃出隔道而后再將一整塊晶圓裂片成多個單的芯片。
現(xiàn)有晶圓隔道通常采用裂片刀沿著切割線進(jìn)行切開,使得容易造成芯片隔道交錯區(qū)域邊緣崩裂的同時產(chǎn)生的碎屑不好排出,并且現(xiàn)有的晶圓在裂片時,由于受到不同方向的力進(jìn)行裂片,裂片效率較低,同時容易讓芯片發(fā)生位移,從而產(chǎn)生劃痕造成損傷。

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