構成同軸衰減器的基本材料是電阻性材料。通常的電阻是同軸衰減器的一種基本形式，由此形成的電阻衰減器網絡就是集總參數衰減器。通過一定的工藝把電阻材料放置到不同波段的射頻/微波電路結構中就形成了相應頻率的衰減器。如果是大功率衰減器，體積肯定要加大，關鍵就是散熱設計。隨著現代電子技術的發(fā)展，在許多場合要用到快速調整衰減器。這種衰減器通常有兩種實現方式，一是半導體小功率快調衰減器，如PIN管或FET單片集成衰減器；二是開關控制的電阻衰減網絡，開關可以是電子開關，也可以是射頻繼電器。
衰減量：無論形成功率衰減的機理和具體結構如何，總是可以用兩端口網絡來描述衰減器。
信號輸入端的功率為P1，而輸出端得功率為P2，衰減器的功率衰減量為A（dB）。若P1 、P2 以分貝毫瓦（dBm）表示，則兩端功率間的關系為 P2（dBm）= P1（dBm）－ A（dB）
可以看出，衰減量描述功率通過衰減器后功率的變小程度。衰減量的大小由構成衰減器的材料和結構確定。衰減量用分貝作單位，便于整機指標計算。
衰減器是一種能量消耗元件，功率消耗后變成熱量。可以想象，材料結構確定后，衰減器的功率容量就確定了。如果讓衰減器承受的功率超過這個極限值，衰減器就會被燒毀。設計和使用時，明確功率容量。
這種衰減器利用光在金屬薄膜表面的反射光強與薄膜厚度有關的原理制成。如果玻璃襯底上蒸鍍的金屬薄膜的厚度固定，就制成固定光衰減器。如果在光纖中斜向插入蒸鍍有不同厚度的一系列圓盤型金屬薄臘的玻璃襯底，使光路中插入不同厚度的金屬薄膜，就能改變反射光的強度，即可得到不同的衰減量，制成可變衰減器。
連接頭形式和連接尺寸：
連接頭形式分為BNC型、N型、TNC型、SMA型、SMC型等，同時連接頭形狀具有陰、陽兩種。
連接尺寸分為公制與英制形式，以上根據使用要求決定；如果連接頭的型式多樣需要連接，可以配用相應的連接轉換頭，例：BNC轉N型頭等。
NAIGQ同軸衰減器可能是一種特定品牌或型號的同軸衰減器，但由于“NAIGQ”并非一個廣為人知的品牌名（在提供的參考信息中未提及此品牌），因此我將基于同軸衰減器的一般特性和參數來介紹它可能具備的特點。
同軸衰減器是一種能量損耗性射頻/微波元件，主要用于減少射頻（RF）信號傳輸系統中的信號功率水平。這種裝置對于通信系統、雷達、測試測量以及其他RF應用至關重要。其基本構造通常包括連接器、衰減芯片和散熱器等部分，其中衰減芯片是核心組件，負責將部分信號能量轉化為熱能，從而實現信號強度的降低。
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