構(gòu)成同軸衰減器的基本材料是電阻性材料。通常的電阻是同軸衰減器的一種基本形式，由此形成的電阻衰減器網(wǎng)絡(luò)就是集總參數(shù)衰減器。通過一定的工藝把電阻材料放置到不同波段的射頻/微波電路結(jié)構(gòu)中就形成了相應頻率的衰減器。如果是大功率衰減器，體積肯定要加大，關(guān)鍵就是散熱設(shè)計。隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展，在許多場合要用到快速調(diào)整衰減器。這種衰減器通常有兩種實現(xiàn)方式，一是半導體小功率快調(diào)衰減器，如PIN管或FET單片集成衰減器；二是開關(guān)控制的電阻衰減網(wǎng)絡(luò)，開關(guān)可以是電子開關(guān)，也可以是射頻繼電器。
衰減器的工作頻帶是指在給定頻率范圍內(nèi)使用衰減器，衰減器才能達到指標值。由于射頻/微波結(jié)構(gòu)與頻率有關(guān)，不同頻段的元器件，結(jié)構(gòu)不同，也不能通用?，F(xiàn)代同軸結(jié)構(gòu)的衰減器使用的工作頻帶相當寬，設(shè)計或使用中要加以注意。
衰減量：無論形成功率衰減的機理和具體結(jié)構(gòu)如何，總是可以用兩端口網(wǎng)絡(luò)來描述衰減器。
信號輸入端的功率為P1，而輸出端得功率為P2，衰減器的功率衰減量為A（dB）。若P1 、P2 以分貝毫瓦（dBm）表示，則兩端功率間的關(guān)系為 P2（dBm）= P1（dBm）－ A（dB）
可以看出，衰減量描述功率通過衰減器后功率的變小程度。衰減量的大小由構(gòu)成衰減器的材料和結(jié)構(gòu)確定。衰減量用分貝作單位，便于整機指標計算。
當輸入功率從10mW變化到額定功率時，衰減量的變化系數(shù)表示為dB/（dB*W）。衰減量的變化值的具體算法是將系數(shù)乘以總衰減量功率（W）。如：一個功率容量50W，標稱衰減量為40dB的衰減器的功率系數(shù)為0.001dB/（dB*W），意味著輸入功率從10mW加到50W時，其衰減量會變化0.001*40*50=2dB之多！
這種衰減器利用光在金屬薄膜表面的反射光強與薄膜厚度有關(guān)的原理制成。如果玻璃襯底上蒸鍍的金屬薄膜的厚度固定，就制成固定光衰減器。如果在光纖中斜向插入蒸鍍有不同厚度的一系列圓盤型金屬薄臘的玻璃襯底，使光路中插入不同厚度的金屬薄膜，就能改變反射光的強度，即可得到不同的衰減量，制成可變衰減器。
對于NAIGQ同軸衰減器，雖然無法提供具體的品牌或型號信息，但根據(jù)同軸衰減器的一般特性，可以推測它可能具有上述技術(shù)指標和參數(shù)，并適用于各種射頻/微波信號傳輸系統(tǒng)中的應用。在選擇和使用時，建議參考具體的產(chǎn)品手冊或技術(shù)文檔，以確保其滿足應用需求并具有良好的性能表現(xiàn)。
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