二硫化鉬加熱可以和氯氣反應(yīng)，生成五氯化鉬：
2 MoS2+ 7 Cl2→ 2 MoCl5+ 2 S2Cl2
二硫化鉬和烷基鋰在控制下反應(yīng)，形成嵌入化合物（夾層化合物）LixMoS2。如果和丁基鋰反應(yīng)，那么產(chǎn)物為LiMoS2。
二硫化鉬具有高含量活性硫，容易對銅造成腐蝕，在很多關(guān)于潤滑劑添加劑方面的書籍、論文中都有論述。另外，有銅及其合金制造的部位需要潤滑時，并非不可以選用含二硫化鉬潤滑產(chǎn)品，而是還需要添加防銅腐蝕劑。

二硫化鉬還可成為制作晶體管的新型材料。相較于同屬二維材料的石墨烯，二硫化鉬擁有1.8eV的能帶隙,而石墨烯則不存在能帶隙，因此，二硫化鉬可能在納米晶體管領(lǐng)域擁有很廣闊的應(yīng)用空間。 而且單層二硫化鉬晶體管的電子遷移率高可達(dá)約500 cm^2/(V·s), 電流開關(guān)率達(dá)到1×10^8.

讓電子制造者驚喜的是，所有TMDs均是半導(dǎo)體。它們和石墨烯的薄度近乎相同（在二硫化鉬中，兩層硫原子把一層鉬原子像“三明治”那樣夾在中間），但是它們卻有其他優(yōu)點(diǎn)。就二硫化鉬而言，優(yōu)點(diǎn)之一是電子在平面薄片中的運(yùn)行速度，即電子遷移率。二硫化鉬的電子遷移速率大約是100cm2/vs（即每平方厘米每伏秒通過100個電子），這遠(yuǎn)低于晶體硅的電子遷移速率1400 cm2/vs ，但是比非晶硅和其他超薄半導(dǎo)體的遷移速度更好，科學(xué)家正在研究這些材料，使其用于未來電子產(chǎn)品，如柔性顯示屏和其他可以靈活伸展的電子產(chǎn)品。

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