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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70％～80％是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長爐設(shè)備有兩大系列三個品種，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，提拉式單晶爐技術(shù)參數(shù)1、電源電壓：380VAC±5%2、電源頻率：50HZ 3、電源相數(shù)：3相3線制4、變壓器容量：190KVA5、加熱器加熱功率：160KW6、加熱溫度：1600℃7、加熱器加熱電壓：60V8、冷爐極限真空度：＜a9、晶體直徑：￠6〞～￠8〞10、熔料量 ：90Kg11、主爐室尺寸：φ900×1250mm上爐室尺寸：φ900×900mm下爐室尺寸：φ900×350mm12、翻板閥通徑：φ280mm13、封頭爐蓋高度：410mm14、副爐室尺寸：φ280×250015、籽晶轉(zhuǎn)速范圍：1～40rpm16、籽晶拉速范圍：0.2～8mm/min17、籽晶快速：≥350mm/min18、籽晶在爐內(nèi)有效行程：3500mm19、籽晶在副室內(nèi)有效行程：2100mm20、坩堝升速范圍：0.02～1mm/min21、坩堝快速：≥100mm/min22、坩堝在爐內(nèi)有效行程：400mm23、坩堝轉(zhuǎn)速范圍：1～30rpm24、兩個電極孔孔距：480mm 25、耗水量：25m3/h26、主機占地面積：2500x2000mm27、主機高度：6800mm28、主機重量：約7500Kg

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直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術(shù)：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導(dǎo)流筒，IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內(nèi)不斷充入，并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合，由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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