| 供應(yīng)商 | 北京汐源科技有限公司 店鋪 |
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| 認(rèn)證 | |
| 報(bào)價(jià) | 面議 |
| 關(guān)鍵詞 | 湖北硅晶碇切片膠,MEMS膠水,硅晶碇切片膠晶圓,硅晶碇切片膠半導(dǎo)體 |
| 所在地 | 北京建國路15號(hào)院 |
9年
電沉積程序
預(yù)處理后，在不同的電流密度（4 mA/cm 2、5 mA/cm 2、7
mA/cm 2、10 mA/cm 2和15 mA/cm 2 ）下進(jìn)?電化學(xué)沉積
（ECD）?藝) 在的時(shí)間段內(nèi)。低電流密度條件（4 mA/cm 2）
和中等電流密度條件（7 mA/cm 2 ）的電沉積間隔分別為30
min和10 min。
深硅刻蝕設(shè)備
通常情況下，制造硅通孔(經(jīng)常穿透多層?屬和絕緣材料)采用深反 應(yīng)離?刻蝕
技術(shù)(DRIE)，常用的深硅刻蝕技術(shù)又稱為“Bosch(博?)” ?藝，有初發(fā)明該項(xiàng)
技術(shù)的公司命名。 如下圖所示，?個(gè)標(biāo)準(zhǔn)Bosch?藝循環(huán)包括選擇性刻蝕和鈍
化兩個(gè)步 驟，其中選擇性刻蝕過程采用的是SF6和O2兩種?體，鈍化過程采用
的是 C4F8?體。在Bosch?藝過程中，利用SF6等離?體刻蝕硅襯底，接
著利用C4F8等離?體作為鈍化物沉積在硅襯底上，在這些?體中加?O2 等離
?體，能夠有效控制刻蝕速率與選擇性。因此，在Bosch刻蝕過程中 很自然地
形成了?殼狀的刻蝕側(cè)壁。
玻璃通孔?密度布線
線路轉(zhuǎn)移(CTT)和光敏介質(zhì)嵌?法，是比較常用的?式。 CTT主要 包括兩個(gè)過
程。?是精細(xì)RDL線預(yù)制，每?RDL層可以在可移動(dòng)載體上單 制造?層薄導(dǎo)
電層，并在轉(zhuǎn)移到基板上之前測試或檢查細(xì)線成品率。精 細(xì)線路的形成采用細(xì)
線光刻和電解鍍銅的?法，并且以薄銅箔作為鍍層的 種?層
國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
2011年，瑞?的微納系統(tǒng)研究部提出了如下圖所示的基于TSV技術(shù)圓片級(jí) 真空
封裝?案。該?案由TSV封帽與器件層兩部分構(gòu)成，TSV封帽垂直導(dǎo) 通柱是填
充在硅通孔中的銅柱。器件層上制作有?錫電極與銅柱相連，從 ?把電信號(hào)從
空腔內(nèi)部的引到空腔外部，后通過硅-硅直接鍵合實(shí)現(xiàn)密 封。該?案?密性
很好，但是TSV封帽制作?藝復(fù)雜，熱應(yīng)??(銅柱與 硅熱失配?)，且硅硅鍵
合對(duì)鍵合表面要求質(zhì)量很?，?般加?過的硅片 很難達(dá)到此要求。
嵌?式玻璃扇出與集成天線封裝
玻璃通孔還可以在玻璃上制作空腔，進(jìn)?為芯片的封裝提供?種嵌? 式玻璃扇
出(eGFO)的新?案。2017年喬治亞理?率先實(shí)現(xiàn)了用于?I/O 密度和?頻多芯
片集成的玻璃面板扇出封裝。該技術(shù)在70um厚、?小為 300mm*300mm的玻璃
面板上完成了26個(gè)芯片的扇出封裝，并有效的控 制芯片的偏移和翹曲。2020年
云天半導(dǎo)體采用嵌?式玻璃扇出技術(shù)開了 77GHz汽?雷達(dá)芯片的封裝，并在此
基礎(chǔ)上提出了?種?性能的天線封裝 (AiP)?案。
基于玻璃通孔的MEMS封裝
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)射頻MEMS器件的晶圓級(jí)封裝， 采用電
鍍?案實(shí)現(xiàn)通孔的完全填充，通過該?案制作的射頻MEMS器件在 20GHz時(shí)具
有0.197dB的低插?損耗和20.032dB的?返回?fù)p耗。2018年， LAAKSO等創(chuàng)造性
地使用磁輔助組裝的?式來填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封裝中。
所屬分類：電子產(chǎn)品制造設(shè)備/蝕刻機(jī)
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