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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法，用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70％～80％是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長(zhǎng)設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。

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上稱重傳感器用于晶棒直徑的輔助控制。伺服電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的混合使用，即可滿足轉(zhuǎn)動(dòng)所需的扭矩，又可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速的控制。質(zhì)量流量計(jì)控制流量。自主產(chǎn)權(quán)的控制軟件采用視窗平臺(tái)，操作方便簡(jiǎn)潔直觀。多種曲線和數(shù)據(jù)交叉分析工具提供了工藝實(shí)時(shí)監(jiān)控的平臺(tái)。完整的工藝設(shè)定界面使計(jì)算機(jī)可以自動(dòng)完成幾乎所有的工藝過(guò)程。加熱電源采用綠色縱向12脈沖直流電源。比傳統(tǒng)直流電源節(jié)能近15%。特殊的溫場(chǎng)設(shè)計(jì)使晶體提拉速度提高20-30%。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉式單晶生長(zhǎng)爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長(zhǎng)爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長(zhǎng)爐。背景技術(shù)：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導(dǎo)流筒，IO為爐底護(hù)盤(pán)、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長(zhǎng)過(guò)程中需要向爐內(nèi)不斷充入，并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合，由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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