2011年，全球光伏新增裝機容量約為27.5GW，較上年的18.1GW相比，漲幅高達52%，全球累計安裝量超過67GW。全球近28GW的總裝機量中，有將近20GW的系統(tǒng)安裝于歐洲，但增速相對放緩，其中意大利和德國市場占全球裝機增長量的55%，分別為7.6GW和7.5GW。2011年以中日印為代表的亞太地區(qū)光伏產(chǎn)業(yè)市場需求同比增長129%，其裝機量分別為2.2GW，1.1GW和350MW。此外，在日趨成熟的北美市場，新增安裝量約2.1GW，增幅高達84%。
如果把一塊組件比作一個牛奶農(nóng)場，那么，陽光就是牧草，電池片就是里面的奶牛，其他的部件就是牛棚、內(nèi)部裝修、輸奶管道、農(nóng)場保安等等。
P型半導體和型半導體中的多數(shù)載流子由于濃度梯度自由擴散，在之間形成一個空間電荷區(qū)，并形成一個從型半導體指向p型半導體的內(nèi)建電場，內(nèi)建電場隨著擴散的進行，電場不斷的增強，增強到一定程度后將會阻止多數(shù)載流子自由擴散使其反向漂移，終使擴散和漂移達到平衡，擴散產(chǎn)生的電流和漂流產(chǎn)生的電流相等。半導體材料中存在著被稱為價帶和導帶的能帶，兩個帶之間的間隙稱為帶隙或能隙。其中價帶位于底部且基本上是由價電子占滿的，而導帶位于頂部只有少量的電子和大量空的能級。如果光照在P結(jié)上，并且被吸收，當光能大于PN結(jié)的禁帶寬度時，就會將電子從P型硅和N型硅的共價鍵激發(fā)出來產(chǎn)生電子空穴對，在內(nèi)建電場的作用下，在耗盡區(qū)產(chǎn)生的光生載流子會被分開，空穴被趨向P區(qū)，電子被趨向N區(qū)。正負電荷就會在PN結(jié)兩邊積累產(chǎn)生光生電勢。
所屬分類：太陽能設(shè)備/多晶硅太陽能電池
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