中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景及未來戰(zhàn)略建議報告2024 VS 2030年

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【報告編號】: 462713

【出版時間】: 2024年5月

【出版機構(gòu)】: 華研中商研究院

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【報告目錄】

章 晶圓加工設(shè)備概述
1.1 晶圓加工設(shè)備基本介紹
1.1.1 晶圓加工設(shè)備價值
1.1.2 晶圓加工設(shè)備分類
1.1.3 晶圓加工設(shè)備特點
1.1.4 行業(yè)的上下游情況
1.2 晶圓加工相關(guān)工藝
1.2.1 晶圓加工流程
1.2.2 熱處理工藝
1.2.3 光刻工藝
1.2.4 刻蝕工藝
1.2.5 薄膜沉積工藝
1.2.6 化學機械研磨工藝
1.2.7 清洗工藝
第二章 2020年到2024年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)政策環(huán)境
2.1.1 行業(yè)政策概覽
2.1.2 行業(yè)規(guī)劃政策
2.1.3 行業(yè)稅收政策
2.2 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展環(huán)境
2.2.1 半導體設(shè)備行業(yè)基本情況
2.2.2 半導體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.3 半導體設(shè)備行業(yè)競爭格局
2.2.4 國內(nèi)半導體設(shè)備行業(yè)政策分析
2.2.5 中國半導體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.2.6 國內(nèi)半導體設(shè)備行業(yè)發(fā)展需求
2.3 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
2.3.1 晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模
2.3.2 晶圓加工設(shè)備細分市場
2.3.3 中國晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模
2.3.4 中國集成電路制造設(shè)備國產(chǎn)化潛力
2.4 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)投招標情況
2.4.1 半導體設(shè)備行業(yè)招投標情況
2.4.2 晶圓加工設(shè)備廠商中標現(xiàn)狀
2.4.3 晶圓加工設(shè)備廠商中標動態(tài)
2.4.4 晶圓加工設(shè)備行業(yè)投資風險
2.5 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)及建議
2.5.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展挑戰(zhàn)
2.5.2 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展建議
第三章 2020年到2024年中國光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
3.1 光刻設(shè)備概述
3.1.1 光刻機基本介紹
3.1.2 光刻設(shè)備技術(shù)介紹
3.1.3 EUV光刻機制造工藝
3.1.4 主流光刻機產(chǎn)品對比
3.2 光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.2.1 光刻機行業(yè)發(fā)展歷程
3.2.2 光刻機行業(yè)上下游布局
3.2.3 光刻機行業(yè)銷量規(guī)模
3.2.4 光刻機行業(yè)市場規(guī)模
3.2.5 光刻機產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析
3.2.6 光刻機行業(yè)競爭格局
3.3 中國光刻設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況分析
3.3.1 國內(nèi)光刻機產(chǎn)業(yè)政策
3.3.2 國內(nèi)光刻機產(chǎn)業(yè)鏈布局
3.3.3 國內(nèi)光刻機研發(fā)動態(tài)
3.3.4 光刻機行業(yè)面臨問題
3.3.5 國產(chǎn)光刻機發(fā)展建議
3.3.6 國產(chǎn)光刻機破局之路
3.4 2020年到2024年中國光刻機進出口數(shù)據(jù)分析
3.4.1 進出口總量數(shù)據(jù)分析
3.4.2 主要貿(mào)易國進出口情況分析
3.4.3 主要省市進出口情況分析
第四章 2020年到2024年中國薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
4.1 薄膜沉積設(shè)備概述
4.1.1 薄膜沉積設(shè)備定義
4.1.2 薄膜沉積設(shè)備分類
4.2 薄膜沉積設(shè)備市場發(fā)展情況
4.2.1 薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模
4.2.2 薄膜沉積設(shè)備競爭態(tài)勢
4.2.3 國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備招標情況
4.2.4 國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備競爭態(tài)勢
4.2.5 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
4.3 化學氣相沉積（CVD）設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
4.3.1 CVD技術(shù)概述
4.3.2 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈全景
4.3.3 CVD設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.4 CVD設(shè)備行業(yè)競爭格局
4.4 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
4.4.1 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)面臨機遇
4.4.2 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)風險分析
4.4.3 薄膜沉積設(shè)備行業(yè)發(fā)展趨勢
第五章 2020年到2024年中國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
5.1 刻蝕設(shè)備概述
5.1.1 半導體刻蝕技術(shù)
5.1.2 刻蝕工藝分類
5.1.3 刻蝕工藝
5.1.4 刻蝕設(shè)備原理
5.1.5 刻蝕設(shè)備分類
5.1.6 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
5.2 刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.2.1 刻蝕設(shè)備市場規(guī)模
5.2.2 刻蝕設(shè)備市場結(jié)構(gòu)
5.2.3 刻蝕設(shè)備競爭格局
5.3 中國刻蝕設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
5.3.1 刻蝕行業(yè)驅(qū)動因素
5.3.2 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化情況
5.3.3 刻蝕技術(shù)水平發(fā)展狀況
5.3.4 刻蝕領(lǐng)域技術(shù)水平差距
5.3.5 刻蝕設(shè)備國產(chǎn)替代機遇
第六章 2020年到2024年中國化學機械拋光設(shè)備行業(yè)發(fā)展狀況
6.1 CMP設(shè)備概述
1.1.1 CMP技術(shù)概念
6.1.1 CMP設(shè)備應(yīng)用場景
1.1.2 CMP設(shè)備基本類型
6.2 CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.2.1 CMP設(shè)備市場分布
6.2.2 CMP設(shè)備競爭格局
6.2.3 CMP設(shè)備市場規(guī)模
6.3 中國CMP設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
6.3.1 CMP設(shè)備市場規(guī)模
6.3.2 CMP設(shè)備市場分布
6.3.3 CMP設(shè)備市場集中度
6.3.4 CMP設(shè)備行業(yè)面臨挑戰(zhàn)
6.4 CMP設(shè)備行業(yè)投資風險
6.4.1 市場競爭風險
6.4.2 技術(shù)創(chuàng)新風險
6.4.3 技術(shù)迭代風險
6.4.4 客戶集中風險
6.4.5 政策變動風險
6.5 CMP設(shè)備技術(shù)發(fā)展趨勢
6.5.1 設(shè)備拋光頭分區(qū)精細化
6.5.2 清洗單元多能量組合化
6.5.3 設(shè)備工藝控制智能化
6.5.4 預防性維護精益化
第七章 2020年到2024年中國清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
7.1 清洗設(shè)備行業(yè)概述
7.1.1 半導體清洗介紹
7.1.2 半導體清洗工藝
7.1.3 清洗設(shè)備的主要類型
7.1.4 清洗設(shè)備的清洗原理
7.2 清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.2.1 清洗設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模
7.2.2 清洗設(shè)備行業(yè)競爭格局
7.2.3 清洗設(shè)備公司技術(shù)布局
7.2.4 清洗設(shè)備市場結(jié)構(gòu)分布
7.3 中國清洗設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
7.3.1 國內(nèi)清洗設(shè)備企業(yè)發(fā)展情況
7.3.2 國內(nèi)清洗設(shè)備行業(yè)技術(shù)發(fā)展
7.3.3 國內(nèi)清洗設(shè)備市場發(fā)展空間
7.4 國內(nèi)清洗設(shè)備廠商中標情況
7.4.1 中標情況概覽
7.4.2 長江存儲
7.4.3 華虹無錫
7.4.4 上海華力
第八章 2020年到2024年中國離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展綜述
8.1 離子注入機概述
8.1.1 離子注入工藝
8.1.2 離子注入機組成
8.1.3 離子注入機類型
8.1.4 離子注入機工作原理
8.2 離子注入機應(yīng)用領(lǐng)域分析
8.2.1 光伏應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.2 集成電路應(yīng)用領(lǐng)域
8.2.3 面板AMOLED領(lǐng)域
8.3 離子注入設(shè)備發(fā)展狀況
8.3.1 行業(yè)市場價值
8.3.2 市場規(guī)模
8.3.3 市場格局
8.3.4 行業(yè)進入壁壘
8.4 國內(nèi)離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況
8.4.1 行業(yè)相關(guān)政策
8.4.2 行業(yè)供求分析
8.4.3 行業(yè)市場規(guī)模
8.4.4 細分市場分析
8.4.5 市場競爭格局
8.4.6 行業(yè)發(fā)展趨勢
第九章 2020年到2024年中國其他晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展分析
9.1 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)
9.1.1 涂膠顯影設(shè)備介紹
9.1.2 涂膠顯影工藝流程
9.1.3 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.1.4 涂膠顯影設(shè)備行業(yè)格局
9.2 去膠設(shè)備行業(yè)
9.2.1 去膠設(shè)備工藝介紹
9.2.2 去膠設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模
9.2.3 去膠設(shè)備行業(yè)競爭格局
9.2.4 國內(nèi)去膠設(shè)備企業(yè)發(fā)展
9.3 熱處理設(shè)備行業(yè)
9.3.1 熱處理設(shè)備分類
9.3.2 熱處理設(shè)備技術(shù)特點
9.3.3 熱處理設(shè)備行業(yè)規(guī)模
9.3.4 熱處理設(shè)備競爭格局
9.3.5 熱處理設(shè)備中標情況
第十章 2020年到2024年晶圓加工設(shè)備行業(yè)下游發(fā)展分析——晶圓制造行業(yè)
10.1 晶圓制造行業(yè)概述
10.1.1 行業(yè)發(fā)展歷程
10.1.2 企業(yè)經(jīng)營模式
10.1.3 行業(yè)技術(shù)發(fā)展
10.2 晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.2.1 晶圓制造業(yè)發(fā)展態(tài)勢
10.2.2 晶圓制造產(chǎn)能分析
10.2.3 晶圓代工市場規(guī)模
10.2.4 晶圓代工市場份額
10.2.5 晶圓代工企業(yè)擴產(chǎn)
10.3 晶圓代工產(chǎn)業(yè)格局
10.3.1 專屬晶圓代工廠排名
10.3.2 晶圓代工0企業(yè)
10.3.3 晶圓二線專屬代工企業(yè)
10.3.4 IDM兼晶圓代工企業(yè)
10.4 中國晶圓制造業(yè)發(fā)展分析
10.4.1 晶圓制造行業(yè)規(guī)模
10.4.2 晶圓制造行業(yè)產(chǎn)量
10.4.3 晶圓制造區(qū)域發(fā)展
10.4.4 晶圓制造并購分析
10.4.5 芯片制程升級需求
10.4.6 晶圓制造發(fā)展機遇
10.5 中國晶圓代工市場運行分析
10.5.1 晶圓代工市場發(fā)展規(guī)模
10.5.2 國內(nèi)晶圓廠生產(chǎn)線發(fā)展
10.5.3 本土晶圓代工公司排名
10.5.4 晶圓代工市場發(fā)展預測
第十一章 2021年到2024年國外晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營情況
11.1 應(yīng)用材料（AMAT）
11.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.1.2 2021年經(jīng)營狀況
11.1.3 2023年經(jīng)營狀況
11.1.4 2024年經(jīng)營狀況
11.2 泛林半導體（Lam）
11.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.2.2 2021年經(jīng)營狀況
11.2.3 2023年經(jīng)營狀況
11.2.4 2024年經(jīng)營狀況
11.3 東京電子（TEL）
11.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.3.2 2021年經(jīng)營狀況
11.3.3 2023年經(jīng)營狀況
11.3.4 2024年經(jīng)營狀況
11.4 先晶半導體（ASMI）
11.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
11.4.2 2021年經(jīng)營狀況
11.4.3 2023年經(jīng)營狀況
11.4.4 2024年經(jīng)營狀況
第十二章 2021年到2024年國內(nèi)晶圓加工設(shè)備主要企業(yè)經(jīng)營情況
12.1 拓荊科技
12.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.1.2 經(jīng)營效益分析
12.1.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.1.4 財務(wù)狀況分析
12.1.5 核心競爭力分析
12.1.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.1.7 未來前景展望
12.2 北方華創(chuàng)
12.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.2.2 經(jīng)營效益分析
12.2.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.2.4 財務(wù)狀況分析
12.2.5 核心競爭力分析
12.2.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.2.7 未來前景展望
12.3 中微公司
12.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.3.2 經(jīng)營效益分析
12.3.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.3.4 財務(wù)狀況分析
12.3.5 核心競爭力分析
12.3.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.3.7 未來前景展望
12.4 盛美上海
12.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.4.2 企業(yè)主營產(chǎn)品
12.4.3 經(jīng)營效益分析
12.4.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.4.5 財務(wù)狀況分析
12.4.6 核心競爭力分析
12.4.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.4.8 未來前景展望
12.5 至純科技
12.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.5.2 企業(yè)主要業(yè)務(wù)
12.5.3 經(jīng)營效益分析
12.5.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.5.5 財務(wù)狀況分析
12.5.6 核心競爭力分析
12.5.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.5.8 未來前景展望
12.6 萬業(yè)企業(yè)
12.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.6.2 經(jīng)營效益分析
12.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.6.4 財務(wù)狀況分析
12.6.5 核心競爭力分析
12.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.6.7 未來前景展望
12.7 屹唐股份
12.7.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.7.2 經(jīng)營效益分析
12.7.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.7.4 財務(wù)狀況分析
12.7.5 核心競爭力分析
12.7.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.7.7 未來前景展望
12.8 華海清科
12.8.1 企業(yè)發(fā)展概況
12.8.2 拋光墊產(chǎn)品發(fā)展
12.8.3 經(jīng)營效益分析
12.8.4 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
12.8.5 財務(wù)狀況分析
12.8.6 核心競爭力分析
12.8.7 公司發(fā)展戰(zhàn)略
12.8.8 未來前景展望
第十三章 中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)項目投資案例
13.1 拓荊科技原子層沉積（ALD）設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目
13.1.1 項目基本情況
13.1.2 項目投資概算
13.1.3 項目進度安排
13.1.4 項目效益分析
13.2 盛美上海清洗設(shè)備研發(fā)項目
13.2.1 項目基本情況
13.2.2 項目價值分析
13.2.3 項目投資概算
13.2.4 項目效益分析
13.3 屹唐股份刻蝕設(shè)備研發(fā)項目
13.3.1 項目基本情況
13.3.2 項目進度安排
13.3.3 項目價值分析
13.3.4 項目效益分析
13.4 華海清科化學機械拋光設(shè)備項目投資案例
13.4.1 項目基本情況
13.4.2 項目投資價值
13.4.3 項目投資概算
13.4.4 項目效益分析
第十四章 2024年到2030年晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景及趨勢預測
14.1 晶圓加工設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景
14.1.1 行業(yè)面臨機遇
14.1.2 國產(chǎn)替代前景
14.1.3 下游市場趨勢
14.2 2024年到2030年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)預測分析
14.2.1 2024年到2030年中國晶圓加工設(shè)備行業(yè)影響因素分析
14.2.2 2024年到2030年中國晶圓加工設(shè)備市場規(guī)模預測

圖表目錄
圖表 集成電路主要設(shè)備投資比例
圖表 晶圓制造主要步驟使用工藝及設(shè)備
圖表 主要晶圓加工設(shè)備介紹及其國內(nèi)外制造企業(yè)
圖表 氧化工藝的用途
圖表 光刻工藝流程圖
圖表 光刻工藝流程
圖表 等離子刻蝕原理
圖表 濕法刻蝕和干法刻蝕對比
圖表 離子注入與擴散工藝比較
圖表 離子注入機示意圖
圖表 離子注入機細分市場格局
圖表 IC集成電路離子注入機市場格局
圖表 三種CVD工藝對比
圖表 蒸發(fā)和濺鍍PVD工藝對比
圖表 半導體清洗的污染物種類、來源及危害
圖表 近年與半導體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的扶持政策
圖表 2018年到2023年半導體設(shè)備銷售額
圖表 2023年前半導體設(shè)備廠商銷售額
圖表 半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)政策
圖表 2012年到2023年中國大陸半導體設(shè)備銷售額
圖表 國產(chǎn)半導體裝備產(chǎn)業(yè)銷售額
圖表 2023年半導體設(shè)備銷售額和占比
圖表 2023年各類晶圓制造設(shè)備市場規(guī)模
圖表 2014年到2023年各地區(qū)集成電路制造設(shè)備市場規(guī)模
圖表 國產(chǎn)集成電路制造設(shè)備國產(chǎn)化進程
圖表 2023年國內(nèi)半導體設(shè)備招投標數(shù)據(jù)總覽
圖表 2023年國內(nèi)半導體設(shè)備招投標數(shù)據(jù)總覽
圖表 2023年北方華創(chuàng)中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年中微公司中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年盛美半導體中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年沈陽拓荊中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年屹唐半導體中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年中國電子科技集團中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年至純科技中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年北方華創(chuàng)中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年中微公司中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年盛美半導體中標數(shù)據(jù)
圖表 2023年至純科技中標數(shù)據(jù)
圖表 EUV光刻機制造工藝難點
圖表 EUV光刻機優(yōu)勢
圖表 EUV光刻技術(shù)演示
圖表 EUV與ArF光刻機對比分析
圖表 光刻機領(lǐng)域發(fā)展歷程
圖表 2016年到2025年光刻機年度銷量及預測
圖表 2016年到2025年光刻機市場規(guī)模
圖表 2023年光刻機產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（按銷量計）
圖表 2023年光刻機產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（按營銷額計）
圖表 光刻機行業(yè)競爭格局
圖表 國產(chǎn)光刻機產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 國產(chǎn)光刻機破局要點
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進出口總額
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進出口結(jié)構(gòu)
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機貿(mào)易順差規(guī)模
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進口區(qū)域分布
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進口市場集中度（分國家）
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進口市場情況
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進口市場情況
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機出口區(qū)域分布
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機出口市場集中度（分國家）
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機出口市場情況
圖表 2023年主要貿(mào)易國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機出口市場情況
圖表 2019年到2023年主要省市制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進口市場集中度（分省市）
圖表 2023年主要省市制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進口情況
圖表 2023年主要省市制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機進口情況
圖表 2019年到2023年中國制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機出口市場集中度（分省市）
圖表 2023年主要省市制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機出口情況
圖表 2023年主要省市制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機出口情況
圖表 PVD、CVD及ALD成膜效果簡示
圖表 薄膜沉積技術(shù)分類
圖表 2019年到2023年半導體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模
圖表 半導體設(shè)備投資占比情況
圖表 2023年薄膜沉積設(shè)備市場結(jié)構(gòu)
圖表 PVD及CVD在設(shè)備市場合計市占率
圖表 2023年ALD設(shè)備市場份額
圖表 2023年CVD設(shè)備市場份額
圖表 2023年P(guān)VD市場份額
圖表 國內(nèi)主要晶圓制造產(chǎn)線設(shè)備招標統(tǒng)計
圖表 CVD技術(shù)對比
圖表 CVD分類
圖表 CVD設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2017年到2023年薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模及增速
圖表 2023年薄膜沉積設(shè)備細分市場結(jié)構(gòu)占比情況
圖表 2023年CVD設(shè)備市場份額
圖表 刻蝕是去除沉積層形成電路圖形的工藝
圖表 2021主流刻蝕工藝份額
圖表 刻蝕工藝按材料分類
圖表 干法刻蝕與濕法刻蝕對比分析
圖表 不同工藝的刻蝕次數(shù)
圖表 制程刻蝕方法
圖表 刻蝕工藝技術(shù)簡易原理
圖表 電容性和電感性等離體刻蝕設(shè)備
圖表 刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 2019年到2025年刻蝕機市場規(guī)模及預測
圖表 不同刻蝕介質(zhì)規(guī)模占比
圖表 2023年刻蝕設(shè)備競爭格局
圖表 國內(nèi)主要刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商
圖表 各廠商刻蝕設(shè)備與刻蝕工藝對比
圖表 10 納米多重模板工藝原理，涉及多次刻蝕
圖表 刻蝕領(lǐng)域同行業(yè)公司技術(shù)對比
圖表 硅片制造過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 芯片制造過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景
圖表 封裝過程CMP設(shè)備應(yīng)用場景

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