熱壓氮化硅陶瓷
產(chǎn)品別名 |
工業(yè)陶瓷產(chǎn)品,精密陶瓷制品,氮化硅陶瓷零件,精密陶瓷結(jié)構(gòu)件 |
面向地區(qū) |
全國 |
形狀 |
長方形 |
氮化硅陶瓷隔熱罩<br>
以不同含量的YF3和MgO作為燒結(jié)助劑，對Si3N4進行熱壓燒結(jié)， 研究了燒結(jié)助劑含量對氮化硅陶瓷的相對密度、燒結(jié)反應(yīng)、稀土 元素分布以及硬度、強度和斷裂韌性等力學性能的影響實驗結(jié) 果表明，僅添加YF3的樣品生成了YSiON四元化合物，而同時添加 MgO的樣品生成MgYSiO 四元化合物；樣品的抗彎強度隨YF3和MgO 添加量的增加而增加，高可以達到959 MPa；而硬度則隨著YF3 的增加從20GPa降低；添加2%YF3(質(zhì)量分數(shù))氮化硅陶瓷的斷裂韌<br>
氮化硅的硬度高，Hv=18GPa～21?Gpa，HRA=91～93，僅次于金剛石、立方BN、B4C等少數(shù)幾種超硬材料，摩擦系數(shù)小(O．1)，有自潤滑性，與加油的金屬表面相似(0．1--0．2)通常在常壓下1900℃分解<br>
比熱容為0.71J/(g·K)，生成熱為-751.57kJ/mol<br>
氮化硅陶瓷表面經(jīng)拋光后，有金屬光澤<br>
納米氮化硅陶瓷表現(xiàn)出原始短裂紋擴展特征,隨起始粉末中較粗的-Si3N4粉末含量的增加,納米氮化硅的抗熱震性能提高,即在納米尺度范圍內(nèi),較大晶粒的Si3N4陶瓷具有較高的抗熱震性 (2)Si3N4陶瓷的致密化程度影響其力學性能和抗熱震性能,組織中顯微孔洞的存在一定程度上有利于抗熱震性能的改善 (3)與常規(guī)氮化硅陶瓷相比,納米氮化硅陶瓷的抗熱震性略差<br>
熔點1900℃（加壓下）<br>
碳化硅材料具有良好的非線性導電特性，碳化硅的導電機理目前還沒有一個統(tǒng)一的看法，但是可以肯定的一點是：碳化硅的伏安特性的非線性是由顆粒間的接觸現(xiàn)象所引起的，其電阻可以隨電場的增加而自動降低，從而達到自動調(diào)節(jié)場強的目的，所以碳化硅是一種理想的防電暈材料<br>
研究說明了彈性模量與硬度在理論上不存在立的關(guān)系，它們的關(guān)系一定要隨材料的能量耗散能力而變?nèi)魏我环N材料的能量耗散能力可以很方便地通過材料的硬度和彈性模量來評價，同時對于已知能量耗散能力的材料，彈性模量可以從硬度值估測<br>
關(guān)鍵詞：湖南氮化硅，成都超純 氮化硅，氮化硅+武漢，安陽氮化硅，河南鞏義氮化硅
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