<P>陶瓷橢圓銷概述<BR>本公司引進高科技氮化硅陶瓷制造技術(shù)的基礎(chǔ)上按照國家標準生產(chǎn)的陶瓷橢圓銷,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)（得到理想的陶瓷橢圓銷坯體密度），經(jīng)1600℃以上高溫燒結(jié)獲得高密度、高強度氮化硅陶瓷制品?？蓮V泛應(yīng)用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件，取得了很好的預(yù)期效果。近年來，隨著制造工藝和測試分析技術(shù)的發(fā)展,陶瓷橢圓銷等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應(yīng)用面在不斷擴大。</P>
<P><IMG src=""><BR>陶瓷橢圓銷特點<BR>1、工藝優(yōu)良:陶瓷橢圓銷采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)，經(jīng)高溫燒結(jié)具有高強度，硬度，致密度。工業(yè)陶瓷成型的不同方法
1、干壓成型：干壓成型技術(shù)的壓機有液壓式、機械式兩種，可呈半自動或全自動成型方式。壓機大壓力為200Mpa。產(chǎn)量每分鐘可達15～50件。由于液壓式壓機沖程壓力均勻，故在粉料充填有差異時壓制件高度不同。而機械式壓機施加壓力大小因粉體充填多少而變化，易導致燒結(jié)后尺寸收縮產(chǎn)生差異，影響產(chǎn)品質(zhì)量。因此干壓過程中粉體顆粒均勻分布對模具充填非常重要。
2、注漿成型法：注漿成型采用石膏模、成本低且易于成型大尺寸、外形復(fù)雜的部件。注漿成型的關(guān)鍵是料的制備。通常以水為熔劑介質(zhì)，再加入解膠劑與粘結(jié)劑，充分研磨之后排氣，然后倒注入石膏模內(nèi)。由于石膏模毛細管對水分的吸附，漿料遂固化在模內(nèi)。空心注漿時，在模壁吸附漿料達要求厚度時，還需將多余漿料倒出。為減少坯體收縮量、應(yīng)盡量使用高濃度漿料。
3、 燒制成型法： 將顆粒狀陶瓷坯體致密化并形成固體材料的技術(shù)方法叫燒結(jié)。燒結(jié)即將坯體內(nèi)顆粒間空洞排除，將少量氣體及雜質(zhì)有機物排除，使顆粒之間相互生長結(jié)合，形成新的物質(zhì)的方法。<BR>2、性能穩(wěn)定:陶瓷橢圓銷具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。常壓燒結(jié)法(PLS)
在提高燒結(jié)氮氣氛壓力方面,利用氮化硅 分解溫度升高(通常在N2 = 1atm 氣壓下,從1800℃開始分解)的性質(zhì),在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進行常壓燒結(jié)后,再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進行氣壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進氮化硅 陶瓷組織致密化,從而提高陶瓷的強度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點與熱壓燒結(jié)相似。
氣壓燒結(jié)法(GPS)
近幾年來,人們對氣壓燒結(jié)進行了大量的研究,獲得了很大的進展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ~10MPa氣壓下,2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫燒結(jié),在添加較少燒結(jié)助劑情況下,也足以促進氮化硅晶粒生長,而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無論在實驗室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性,可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品,從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝,適用于大規(guī)模生產(chǎn)<BR>3、應(yīng)用廣泛：陶瓷橢圓銷可廣泛應(yīng)用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件。.氮化硅陶瓷的制造
氮化硅陶瓷制造工藝已經(jīng)經(jīng)歷了二十多年的發(fā)展史,使其質(zhì)量逐漸提高。而工藝流程基本未變,因為也屬典型的陶瓷工藝,主要是在各個工藝環(huán)節(jié)上進行了不斷的改進。
(1)氮化硅陶瓷制備工藝的主要環(huán)節(jié)
制備氮化硅陶瓷制品的工藝流程一般由原料處理、粉體合成、粉料處理、成形、生坯處理、燒結(jié)、陶瓷體處理等環(huán)節(jié)組成。
(2)主要工藝類型和特點
從圖4—9中可知,由于幾個主要環(huán)節(jié)如合成、成形、燒結(jié)可以有多種方法進行選擇,而且有的在次序上也不一定完全一致,因此具體的工藝流程有很多種。幾個主要工藝類型及特點詳見表4—2。
表4—2中的幾種工藝制得的氮化硅陶瓷制品不論是在顯微結(jié)構(gòu)上還是在性能方面都有較大的差別,在制造成本上差距也很大。因此,在實際應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)制品的用途和所需要達到的性能指標,以及價格等諸因素綜合考慮后進行選擇。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的陶瓷橢圓銷產(chǎn)品優(yōu)勢<BR>質(zhì)量穩(wěn)定：實行全過程質(zhì)量監(jiān)控，細致入微，檢測！<BR>價格合理：內(nèi)部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產(chǎn)流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>陶瓷橢圓銷實拍圖<BR>陶瓷橢圓銷選型手冊<BR>面對市場上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會感到忙繞。目前市面上的陶瓷產(chǎn)品選型手冊和選型標準一般是按照材料的性能和應(yīng)用來分類。<BR>陶瓷橢圓銷低介電常數(shù)多孔氮化硅陶瓷材料的 制備:
采用有機泡沫前軀體浸漬工藝制備了低介電、低密度 的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉體為主要原料, 制備粘度和流動 性合適的水基料漿，并以軟質(zhì)聚氨酯泡沫塑料為載體，在 真空狀態(tài)下浸漬，然后在氧化氣氛下排塑，在氮氣氣氛下 燒結(jié)，得到了低介電常數(shù)的多孔氮化硅陶瓷材料。所制備 的材料性能可達到：容積密度為0. 12g /cm3、介電常數(shù)為1. 15、介電損耗為4×10- 4。通過XRD, SEM 研究了試樣在熱 處理過程中的物理、化學變化，燒結(jié)體的物相組成及其顯 微結(jié)構(gòu)。
結(jié)論
利用有機物前軀體法制備出了低介電常數(shù)多孔 氮化硅材料，材料孔隙率可達到96. 3%，密度為0. 12g /cm3，介電常數(shù)可低至1. 15，介電損耗為
4×10- 4。隨料漿體積固相含量的提高， 材料氣孔率下降，介電常數(shù)升高。該工藝制備的低介電泡沫 陶瓷中氮化硅柱狀晶發(fā)育良好，不含其它晶相。<BR>陶瓷橢圓銷氮化硅陶瓷在航天軍工領(lǐng)域中的運用：
航空制造是制造業(yè)中高新技術(shù)集中的領(lǐng)域，屬于制造技術(shù)，是新材料、新工藝和新技術(shù)的。以飛機的渦輪發(fā)動機為例，闡述航空制造中氮化硅的應(yīng)用。
以飛機的渦輪噴氣發(fā)動機為例，壓氣機零部件溫度在650℃以下，目前主要采用鈦合金、鋁合金及耐熱鋼。燃燒室燃燒區(qū)溫度高達1800-2000℃，引入氣流冷卻后，燃燒室壁溫仍然在900℃以上，常用高溫合金（鎳基及鈷基合金）板材制造，為防止燃氣沖刷、熱腐蝕和隔熱，常噴涂防護層，現(xiàn)采用彌散強化合金無需涂層可制備耐1200℃的燃燒室。
機構(gòu)陶瓷氮化硅耐熱，可在1400℃時仍然有高的強度、剛度（但超過1200℃時力學強度會下降），但比較脆，使用連續(xù)纖維增強的增強陶瓷可應(yīng)用于渦輪部件，特別是小發(fā)動機的陶瓷葉片，渦輪外環(huán)和空氣軸承。此外，氮化硅陶瓷比密度小，密度僅為鋼軸承的41%，可有效降低飛機發(fā)動機重量，減低油耗。</P>
<P>陶瓷橢圓銷訂購注意事項<BR>1、此產(chǎn)品不支持網(wǎng)上訂購，由于氮化硅陶瓷產(chǎn)品大多數(shù)屬于非標定制件，如您需要訂購陶瓷橢圓銷產(chǎn)品請隨時致電聯(lián)系我們，我們一定會盡心盡力為您提供的服務(wù)。電話： <BR>2、①需要提供圖紙或者樣品。②需要告知訂購數(shù)量③需要告知應(yīng)用場合及對產(chǎn)品的技術(shù)要求④使用溫度⑤使用介質(zhì)⑥其他要注意的事項。<BR>3、如有特殊要求時請在訂購產(chǎn)品時注明。<BR>4、當使用的場合非常重要或者環(huán)境比較復(fù)雜時，請盡量提供設(shè)計圖紙。</P>
<P>陶瓷橢圓銷使用注意事項<BR>氮化硅陶瓷屬于硬脆材料，在材料的加工使用過程中應(yīng)注意：<BR>低介電常數(shù)多孔氮化硅陶瓷材料的 制備:
采用有機泡沫前軀體浸漬工藝制備了低介電、低密度 的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉體為主要原料, 制備粘度和流動 性合適的水基料漿，并以軟質(zhì)聚氨酯泡沫塑料為載體，在 真空狀態(tài)下浸漬，然后在氧化氣氛下排塑，在氮氣氣氛下 燒結(jié)，得到了低介電常數(shù)的多孔氮化硅陶瓷材料。所制備 的材料性能可達到：容積密度為0. 12g /cm3、介電常數(shù)為1. 15、介電損耗為4×10- 4。通過XRD, SEM 研究了試樣在熱 處理過程中的物理、化學變化，燒結(jié)體的物相組成及其顯 微結(jié)構(gòu)。
結(jié)論
利用有機物前軀體法制備出了低介電常數(shù)多孔 氮化硅材料，材料孔隙率可達到96. 3%，密度為0. 12g /cm3，介電常數(shù)可低至1. 15，介電損耗為
4×10- 4。隨料漿體積固相含量的提高， 材料氣孔率下降，介電常數(shù)升高。該工藝制備的低介電泡沫 陶瓷中氮化硅柱狀晶發(fā)育良好，不含其它晶相。 <BR></P>
