研磨玻璃粉也是需要高硬度氧化鋁球，高硬度的氧化鋁球研磨玻璃產(chǎn)生的雜質(zhì)比較少，能提高玻璃的質(zhì)量。由于其顏色非常白，石英粉也白，所以在研磨的過(guò)程中不會(huì)對(duì)石英粉造成污染。石英粉硬度比較高，所以需要硬度比較高的氧化鋁球，氧化鋁球的硬度跟氧化鋁含量有關(guān)，一般采用高含量氧化鋁球進(jìn)行研磨。

個(gè)氧化鋁工業(yè)生產(chǎn)法——蘇打燒結(jié)法就是1856——1860年在這里研究出來(lái)的。1858年呂·查得·里提出鋁土礦—蘇打燒結(jié)法生產(chǎn)氧化鋁。由于在燒結(jié)過(guò)程中鋁土礦中的Al203，、SiO2將與蘇打反應(yīng)，生成氧成不溶性的鋁硅酸鈉，造成氧化鋁和蘇打的大量損失。1880年由米列爾提出往蘇打、鋁土礦爐料中添加石灰石，使得燒結(jié)過(guò)程不生成或很少生成鋁硅酸鈉，大大減少了氧化鋁和蘇打的損失;后又改為添加石灰，以至發(fā)展成為今天的堿—石灰燒結(jié)法。這一方法是目前處理高硅鋁土礦生產(chǎn)氧化鋁的主要工業(yè)生產(chǎn)方法，1889—1892年奧地利人K·J·拜耳發(fā)明了甩苛性堿溶液直接浸出鋁土礦生產(chǎn)氧化的拜耳法，為氧化鉛的大規(guī)模生產(chǎn)和迅速發(fā)展開(kāi)辟了道路。此法用在處理低硅鋁土礦，特別是處理三水鋁石型鋁土礦，其經(jīng)濟(jì)效果遠(yuǎn)非其它生產(chǎn)方法所能比擬。燒結(jié)法和拜耳法是目前生產(chǎn)氧化鋁的主要工業(yè)方法。

根據(jù)氧化鋁的物理性質(zhì)，通常又可將氧化鋁分為砂狀、面粉狀和中間狀三種類型。這三種類型的氧化鋁在物理性質(zhì)上有較大的差別。砂狀氧化鋁具有較小的容重，較大的比表面積，略小的安息角，含較少量的a-Al2O3，粗粒較多且均勻，強(qiáng)度較高。面粉狀氧化鋁則有較大的容重，小的比表面積，含較多的a-Al2O3，細(xì)粒較多，強(qiáng)度差。而中間狀氧化鋁的物理性質(zhì)介于二者之間。各種氧化鋁的物理性質(zhì)見(jiàn)表1-3。

活性氧化鋁屬于化學(xué)品氧化鋁范疇，主要用于吸附劑、凈水劑、催化劑及催化劑載體?；钚匝趸X對(duì)氣體、水蒸氣和某些液體的水分有選擇吸附本領(lǐng)。吸附飽和后可在約175～315℃加熱除去水而復(fù)活。吸附和復(fù)活可進(jìn)行多次。除用作干燥劑外，還可從污染的氧、氫、二氧化碳、天然氣等中吸附潤(rùn)滑油的蒸氣。并可用作催化劑和催化劑載體和色層分析載體?？捎米鞲叻嬎某鷦ǔ萘看螅⑼榛缴a(chǎn)中循環(huán)烷烴的脫氟劑、變壓器油的脫酸再生劑、用作制氧工業(yè)、紡織工業(yè)、電子行業(yè)氣體干燥，自動(dòng)化儀表風(fēng)的干燥以及在化肥、石油化工干燥等行業(yè)作干燥劑、凈化劑（露點(diǎn)可達(dá)-40℃）、在空分行業(yè)變壓吸附露點(diǎn)可達(dá)-55℃。是一種微量水深度干燥的干燥劑。非常適用于無(wú)熱再生裝置。

活性氧化鋁生產(chǎn)原料有兩種，一種是由三水鋁石或拜耳石生產(chǎn)的“快脫粉”，另一種是由鋁酸鹽或鋁鹽或二者同時(shí)生產(chǎn)的擬薄水鋁石。
x-ρ 氧化鋁的生產(chǎn)
x-ρ氧化鋁是生產(chǎn)活性氧化鋁球的主要原料，國(guó)外簡(jiǎn)稱FCA，在國(guó)內(nèi)因其是用快速脫水法生產(chǎn)的氧化鋁粉，所以稱為“快脫粉”?！翱烀摲邸啊笔莤-氧化鋁和ρ - 氧化鋁的混合物，因生產(chǎn)條件的差別，含量各不相同。
擬薄水鋁石的生產(chǎn)方法
天然或人工生產(chǎn)的一水氧化鋁和三水氧化鋁，因比表面積低、孔容小、活性低，不能用來(lái)做干燥劑、吸附劑、催化劑和催化劑載體。將一水氧化鋁或三水氧化鋁加工成擬薄水鋁石。擬薄水鋁石具有高比表面積、大孔容、大孔徑、高活性，適合于作干燥劑、吸附劑及石油化工、化肥及尾氣等領(lǐng)域的催化劑和催化劑載體等。

吸附劑及催化劑載體用氧化鋁是一種精細(xì)化學(xué)品，也是一種化學(xué)品。不同用途對(duì)物性結(jié)構(gòu)的要求不同，這就是其性強(qiáng)、品種牌號(hào)多的緣故。據(jù)統(tǒng)計(jì)，用氧化鋁作催化劑及載體的數(shù)量，比分子篩、硅膠、活性炭、硅藻土及硅鋁膠的催化劑總用量還多。由此可見(jiàn)氧化鋁在催化劑及載體中的舉足輕重的地位。其中η-Al2O3和γ-Al2O3又是重要的催化劑及載體，它們都是含有缺陷的尖晶石結(jié)構(gòu)，兩者的區(qū)別是：四面體的晶體結(jié)構(gòu)不同（γ>η），六方層的堆排規(guī)整性不同（γ>η）以及Al—O鍵距不同（η>γ，差值0.05～0.1nm）。