蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。

厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會(huì)根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。

化學(xué)組分上的均勻性： 就是說在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。 具體因素也在下面給出。

蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會(huì)根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。化學(xué)組分上的均勻性： 就是說在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。 具體因素也在下面給出。

為了克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種真空鍍膜系統(tǒng)，本系統(tǒng)由真空鍍膜系統(tǒng)和真空手套箱系統(tǒng)集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完成薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氛圍下進(jìn)行樣品的存放、制備以及蒸鍍后樣品的檢測。
真空鍍膜系統(tǒng)用途：主要用于太陽能電池鈣鈦礦、OLED和PLED、半導(dǎo)體制備等實(shí)驗(yàn)研究與應(yīng)用?，F(xiàn)有的真空鍍膜機(jī)，主要用于一些放氣量較少的普通玻璃上鍍膜，由于大面積有機(jī)玻璃放氣量較大，熱變形溫度低，剛性低，因此現(xiàn)有的真空鍍膜機(jī)無法鍍制大面積有機(jī)玻璃?，F(xiàn)有的鍍膜機(jī)蒸發(fā)源間呈正方形分布，這樣鍍出的膜層均勻性差，無法大面積有機(jī)玻璃在鍍制過程中不變形。為了克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種真空鍍膜系統(tǒng)，本系統(tǒng)由真空鍍膜系統(tǒng)和真空手套箱系統(tǒng)集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完成薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氛圍下進(jìn)行樣品的存放、制備以及蒸鍍后樣品的檢測。
蒸發(fā)鍍膜與真空手套箱組合，實(shí)現(xiàn)蒸鍍、封裝、測試等工藝全封閉制作，使整個(gè)薄膜生長和器件制備過程高度集成在一個(gè)完整的可控環(huán)境氛圍的系統(tǒng)中，消除有機(jī)大面積電路制備過程中大氣環(huán)境中不穩(wěn)定因素影響，保障了、大面積有機(jī)光電器件和電路的制備。