金屬鋯、高純鋯、海綿鋯，碘化鋯、結(jié)晶鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯屑、鋯邊角、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯鋼反應釜罐，鋯盤管，鋯冷卻管，鋯絲、鋯箔、鋯帶、鋯舟、鋯杯、鋯螺絲、鋯包銅，鋯鐵，鋁鋯中間合金等。
3）結(jié)晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。

各種類型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發(fā)展，地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。
市場概況
日本。就美國而言．約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。近段時間，的一些國家和地區(qū)，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。
對靶材廠商而言，這是相當重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術，國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的已經(jīng)達到國外的技術水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板

我們曾在多種農(nóng)藥設備上進行過工業(yè)鋯的應用研究，如在農(nóng)藥反應罐中進行了鋯的實際應用與掛片試驗。農(nóng)藥水解反應的條件為：20%硫酸+甲萘胺；溫度220-250℃；15個大氣壓（1520kPa)，一個流程時間為7h，在此條件下設備腐蝕嚴重，1mm厚普通鋼板，反應后即腐蝕穿孔。原采用罐內(nèi)搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層，則易污染環(huán)境，鉛的抗腐蝕也較差，一個搪鉛反應罐，僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗條件為：生產(chǎn)介質(zhì)20%硫酸+甲萘胺；生產(chǎn)200-250℃；壓力14-15個大氣（1419- 1520kPa)。結(jié)果表明，隨時間增加，鋯母材與焊縫區(qū)氧含量稍有增加，但增加速度較緩，對鋯的力學性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質(zhì)腐蝕中逐漸下降，可減少脆性，對鋯有利，年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。

鋯管-鋯板-鋯帶-鋯棒-鋯絲
牌號：Zr－0、Zr－2、R60702，R60705、Zr－4；
規(guī)格： 0.03～50×200～600×Lmm 0.5～100×Lmm；
種類：軋制、鍛制、拉制；標準：Q／BS6531－91、GB8769－88、Q／BS6331－91、Q／BS6431－91。

鋯的表面易形成一層氧化膜，具有光澤，故外觀與鋼相似。有耐腐蝕性，但是溶于氫氟酸和王水；高溫時，可與非金屬元素和許多金屬元素反應，生成固體溶液化合物。鋯 鋯單質(zhì)
的可塑性好，易于加工成板、絲等。鋯在加熱時能大量地吸收氧、氫、氮等氣體，可用作儲氫材料。鋯的耐蝕性比鈦好，接近鈮、鉭。鋯與鉿是化學性質(zhì)相似、又共生在一起的兩個金屬，且含有物質(zhì)。地殼中鋯的含量居第19位，幾乎與鉻相等。自然界中具有工業(yè)價值的含鋯礦物，主要有鋯英石及斜鋯石。

鋯是一種稀有金屬，具有驚人的抗腐蝕性能、的熔點、的硬度和強度等特性，被廣泛用在航空航天、、核反應、原子能領域。本次"神六"上使用的抗腐蝕性、耐高的鈦產(chǎn)品，其抗腐蝕性能遠不如鋯，其熔點1600度左右，而鋯的熔點則在1800度以上，二氧化鋯的熔點更是高達2700度以上，所以鋯作為航空航天材料，其各方面的性能大大于鈦。