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利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化
氮化鉭貯存
1、通常對(duì)水是不危害的，若無許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。
2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為TaN，分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
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