研究表明,影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度,氮分壓比、濺射電流為次要因素;氮分壓對(duì)氮化鉭薄膜的硬度影響較大
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜,對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)(包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流)用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化
氮化鉭為黑色六方結(jié)晶。相對(duì)密度為13.4,熔點(diǎn)為3090℃,顯微硬度為1100kg/mm2,熱導(dǎo)率為9.54W/(m·K),電阻率為128μΩ·cm
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜,利用TEM、XRD技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥?;同時(shí)還發(fā)現(xiàn),在一定工作壓力下,隨著氮分壓的提高,氮化物晶粒形成的取向改變,即平行于基體表面生長(zhǎng)的晶面會(huì)有改變。
【中文名稱】五氧化二鉭
【英文名稱】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結(jié)構(gòu)或分子式】 Ta2O5
【分子量】 441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點(diǎn)(℃)】1800
【性狀】
白色斜方晶體,菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。
又稱“氧化鉭”。化學(xué)式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,結(jié)晶形白色粉末或無色難溶性粉末。相對(duì)密度8.2,熔點(diǎn)1872℃±10℃。有多種同素異形體,其中β-Ta2O5在1360℃以下穩(wěn)定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔點(diǎn)以下穩(wěn)定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、礦酸類和堿溶液,溶于氫氟酸和熔融的堿或焦硫酸鉀。