AS9378主要應用領域：第三代功率半導體器件、大功率發(fā)光二極管、大功率芯片、光通訊 TO 器件、大功率模塊和其他需要高導熱、導電和高強度粘接的場合。

大面積無壓燒結銀的主要成分：納米銀粉、有機載體等，可以栽無壓的條件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面積的芯片。

大面積燒結銀的導熱系數(shù)為： 200W/m·K， （激光閃射法）；剪切強度為60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

以上數(shù)據(jù)信息是基于我們在溫度 25℃，濕度 70％的環(huán)境下對產品研究測試所得到的典型數(shù)據(jù)，僅供
客戶使用時參考，并不能完全于某個特定環(huán)境進能達到的全部數(shù)據(jù)。

大面積燒結銀的使用要求
1. 使用前回溫至室溫；
2. 使用前在行星攪拌機中進行 2500rpm/30s 攪拌處理；
3. 框架表面鍍金、銀，芯片背面鍍金、銀

大面積燒結銀AS9378的樣本提供的技術參數(shù)僅供參考，它們會隨不同的工況條件，如設備類型、材質、工藝條件等改變。
使用產品之前，請仔細閱讀材料安全資料，產品及產品使用說明：