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高橋鎮(zhèn)金屬鉭回收總代鉭刨花回收

更新時(shí)間:2025-10-04 [舉報(bào)]

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用作超硬質(zhì)材料添加劑,可制備純的五氯化鉭:用于噴涂,增加變壓器、集成線路、二極管的電穩(wěn)定性

研究表明,影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度,氮分壓比、濺射電流為次要因素;氮分壓對(duì)氮化鉭薄膜的硬度影響較大

利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜,對(duì)磁控反應(yīng)濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數(shù)(包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流)用正交設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化

氮化鉭為黃綠色結(jié)晶,屬型結(jié)晶,相對(duì)密度為15.6。晶格常數(shù)為a=0.4336nm,c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃,顯微硬度為3200kg/mm2,轉(zhuǎn)化點(diǎn)溫度為17.8K。

氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮?dú)饣虬睔庠?100℃左右直接氮化制得;
2、以金屬鉭和氮?dú)鉃樵现苽涞g,反應(yīng)式如下:2Ta+N2=2TaN。

用來(lái)制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕

氮化鉭靶材----氮化鉭(Tantalum mononitride)是一種化工材料,分子式為TaN,分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中,這些膜沉積在硅晶片的頂部,以形成薄膜表面貼裝電阻

標(biāo)簽:高橋鎮(zhèn)金屬鉭回收南匯金屬鉭回收
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