在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過幫助去掉碎片而延長刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。

在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)的一個(gè)常見的推薦是，選擇盡可能薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20μm)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30μm。

通常，切割的硅晶圓的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)是：如果背面碎片的尺寸在10μm以下，忽略不計(jì)。另一方面，當(dāng)尺寸大于25μm時(shí)，可以看作是潛在的受損?？墒牵?0μm的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定?，F(xiàn)在可用來控制背面碎片的工具和技術(shù)是刀片的優(yōu)化，接著工藝參數(shù)的優(yōu)化。

為了接收今天新的切片挑戰(zhàn)，切片系統(tǒng)與刀片之間的協(xié)作是必要的。對于(high-end)應(yīng)用特別如此。刀片在工藝優(yōu)化中起主要的作用。為了接納所有來自于迅速的技術(shù)發(fā)展的新的切片要求，今天可以買到各種各樣的刀片。這使得為正確的工藝選擇正確的刀片成為一個(gè)比以前更加復(fù)雜的任務(wù)。

切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。

一種全自動晶圓劃片機(jī)，包括機(jī)架，機(jī)架的一側(cè)設(shè)置有激光器，激光器的下方設(shè)置有旋轉(zhuǎn)劃片工作臺，其特征在于：機(jī)架的另一側(cè)設(shè)置有自動放收料裝置，自動放收料裝置的旁側(cè)設(shè)置有理料機(jī)構(gòu)，自動放收料裝置與理料機(jī)構(gòu)之間連接有夾料機(jī)械手，理料機(jī)構(gòu)與劃片工作臺之間設(shè)置有兩組相互錯(cuò)位的吸料機(jī)械手。