外觀細(xì)節(jié)上也可以區(qū)分，一般單晶會(huì)更純凈；而多晶細(xì)看的時(shí)候會(huì)感覺有些隱約的，不規(guī)則的晶狀紋路，實(shí)際觀感會(huì)比較明顯。

電池片的背面一般設(shè)計(jì)成全鋁背場，但是也得要載流子導(dǎo)出來啊，所以會(huì)有背銀的存在，全鋁背場和背銀都是背電極。

P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子由于濃度梯度自由擴(kuò)散，在之間形成一個(gè)空間電荷區(qū)，并形成一個(gè)從型半導(dǎo)體指向p型半導(dǎo)體的內(nèi)建電場，內(nèi)建電場隨著擴(kuò)散的進(jìn)行，電場不斷的增強(qiáng)，增強(qiáng)到一定程度后將會(huì)阻止多數(shù)載流子自由擴(kuò)散使其反向漂移，終使擴(kuò)散和漂移達(dá)到平衡，擴(kuò)散產(chǎn)生的電流和漂流產(chǎn)生的電流相等。半導(dǎo)體材料中存在著被稱為價(jià)帶和導(dǎo)帶的能帶，兩個(gè)帶之間的間隙稱為帶隙或能隙。其中價(jià)帶位于底部且基本上是由價(jià)電子占滿的，而導(dǎo)帶位于頂部只有少量的電子和大量空的能級(jí)。如果光照在P結(jié)上，并且被吸收，當(dāng)光能大于PN結(jié)的禁帶寬度時(shí)，就會(huì)將電子從P型硅和N型硅的共價(jià)鍵激發(fā)出來產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在內(nèi)建電場的作用下，在耗盡區(qū)產(chǎn)生的光生載流子會(huì)被分開，空穴被趨向P區(qū)，電子被趨向N區(qū)。正負(fù)電荷就會(huì)在PN結(jié)兩邊積累產(chǎn)生光生電勢。