③燒結(jié)完成后形成SiC-Cu基板納米燒結(jié)銀互連層?？梢钥吹?，善仁新材的納米銀燒結(jié)互連層是碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)單元，屬于薄層結(jié)構(gòu)，其厚度范圍一般為20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通過鍍銀、金等燒結(jié)工藝提升其互連層的連接強(qiáng)度。

另外，善仁新材研究院發(fā)現(xiàn)：較大面積的互連會(huì)導(dǎo)致較差的互連質(zhì)量，其原因是增加的互連面積阻止了有機(jī)成分被燃盡，會(huì)導(dǎo)致更高的的孔隙率，針對(duì)這種現(xiàn)象，善仁新材提出了兩個(gè)解決方案：

燒結(jié)納米銀導(dǎo)熱率及孔隙關(guān)系
孔隙對(duì)于熱傳導(dǎo)性能的影響會(huì)很大，善仁新材發(fā)現(xiàn)：納米燒結(jié)銀熱流密度分布不均勻，有孔隙的地方會(huì)使得周圍的熱流密度變低，并且隨著孔隙率的增加，等效熱導(dǎo)率依次減少?？障堵试降?，導(dǎo)熱系數(shù)越高，空隙率越高，導(dǎo)熱系數(shù)越低。