隨機存取存儲器（RAM）既可向單元存入信息又可從單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電后均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。

現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

DRAM特點如下： ●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 [8] ●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時給柵極電容補充電荷的操作。 [8] ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。 [8] ●優(yōu)點： 集成度遠SRAM、功耗低，價格也低。 [8] ●缺點：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。 [8] 盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。