大硅片方面，目前中環(huán)股份主導(dǎo)的創(chuàng)新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴(kuò)產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術(shù)、經(jīng)濟(jì)性上的優(yōu)勢(shì)并不明顯，市場(chǎng)占有率明顯低于182大硅片。不過(guò)，相關(guān)人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著N型電池HJT與TOPCON技術(shù)之爭(zhēng)終有了結(jié)果，210硅片或有拓展機(jī)會(huì)。

硅料回收是指對(duì)廢棄的硅料進(jìn)行再利用或處理的過(guò)程。硅料是一種重要的材料，廣泛應(yīng)用于電子、光電子、太陽(yáng)能等領(lǐng)域。由于硅料的高附加值和廣泛使用，回收硅料可以減少資源浪費(fèi)，降低環(huán)境污染。

電阻率與均勻度 　拉制單晶時(shí)摻入一定雜質(zhì)以控制單晶的電阻率。由于雜質(zhì)分布不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區(qū)電阻率均勻度。它直接影響器件參數(shù)的一致性和成品率。

硅單晶主要技術(shù)參數(shù)有導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。 導(dǎo)電類(lèi)型 　導(dǎo)電類(lèi)型由摻入的施主或受主雜質(zhì)決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷

熱導(dǎo)率較大。化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，又易于形成穩(wěn)定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實(shí)現(xiàn)PN結(jié)表面鈍化和保護(hù)，還可以形成金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),制造MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路。上述性質(zhì)使PN結(jié)具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、、使用壽命長(zhǎng)、可靠性好、熱傳導(dǎo)好，并能在200高溫下運(yùn)行等優(yōu)點(diǎn)。

硅是元素半導(dǎo)體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導(dǎo)體和多晶硅中應(yīng)分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時(shí)要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導(dǎo)電類(lèi)型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會(huì)使PN結(jié)性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認(rèn)為是低碳單晶。碳含量超過(guò)3ppm時(shí)其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。