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權(quán)利要求1、一種直拉式單晶生長爐，包括設(shè)于該爐頂部并伸入爐內(nèi)的輸入管(12)、與輸入管(12)相連通的環(huán)形氣體分布器(11)；其特征在于經(jīng)輸入管(12)輸入的氣壓為0.8×10a0.9×10a，流量為30L/min。2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于還包括 設(shè)于該爐的坩堝支持器(14)下方和該爐底部的排氣口 (13)之間的氣流 導(dǎo)向裝置(20);該氣流導(dǎo)向裝置(20)為碗形，其包括設(shè)于氣流導(dǎo)向裝 置(20)底部的中軸孔(2-1)、設(shè)于所述中軸孔(2-1)兩側(cè)的一對電 極孔(2-2)、以及設(shè)于所述中軸孔(2-1)兩側(cè)并與該爐的排氣口 (13)相 對的通氣孔(2-3);該爐的石墨中軸(21)

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(4) 電氣硬件設(shè)置、本系統(tǒng)的電氣柜內(nèi)布局采用模塊化集中管理，各個模塊間連接簡單，單個模塊可以帶電維修，電機保護采用空氣開關(guān)和絲結(jié)合的方法便于操作和維護。同時主要的電氣點都能簡單的在端子板上查出。整個機箱布局合理，簡單。同時帶有雙色聲光報*燈進行提示。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，原理編輯，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；然后，進入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個單晶拉制過程基本完成，進行一定的保溫冷卻后可以取出。