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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現自動控制，生產，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據統(tǒng)計，世界上硅單晶的產量中70%～80%是用直拉法生產的。江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產品——太陽能光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產權。生產的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產權，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。

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