銠水回收，銠單原子催化劑合成過(guò)氧化氫
廈門(mén)大學(xué)設(shè)計(jì)的Rh-N?/C催化劑，在質(zhì)子交換膜電解槽中直接合成H?O?（法拉第效率92%），濃度達(dá)8wt%（工業(yè)需求為5wt%）。原位XAS證明Rh1?與吡啶氮配位，促使O?選擇性二電子還原。對(duì)比蒽醌法，該工藝省去氫化、萃取步驟，設(shè)備投資減少60%，已建成5000噸/年示范工廠(chǎng)供應(yīng)紙漿漂白。



銠水回收，銠合金強(qiáng)化銅互連線(xiàn)的芯片性能提升
臺(tái)積電3nm工藝引入Rh-Cu互連（Rh 0.5at%），電遷移壽命提高100倍，電阻率僅2.3μΩ·cm。性原理計(jì)算表明，銠偏聚在晶界處抑制空位擴(kuò)散。量產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示，芯片運(yùn)算速度提升12%，功耗降低8%，良品率從78%增至92%。關(guān)鍵技術(shù)是原子層沉積Rh水前驅(qū)體的劑量控制（誤差<3%）。

銠水回收，銠鍍層在海洋溫差發(fā)電系統(tǒng)防腐應(yīng)用
日本佐賀大學(xué)在OTEC熱交換器上沉積50μm銠鍍層，在90℃海水-5℃氨工質(zhì)環(huán)境下，腐蝕速率僅0.003mm/年（鈦合金為0.12mm/年）。電化學(xué)測(cè)試顯示，銠的自腐蝕電位達(dá)+0.85V（SCE），且表面形成的Rh?O?鈍化膜能抵抗Cl?侵蝕。實(shí)際運(yùn)行數(shù)據(jù)表明，該系統(tǒng)維護(hù)周期從2年延長(zhǎng)至10年，使發(fā)電成本降至$0.18/kWh。