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南京中科微Si12T電容傳感器應(yīng)用場(chǎng)景12通道

更新時(shí)間:2025-10-05 [舉報(bào)]

Si12T 設(shè)置 IDLE 模式來(lái)節(jié)省功耗,此時(shí),功耗電流為 3.5 μA@3.3V。
Si12T低功耗 12 通道電容觸摸傳感器

Si12T低功耗 12 通道電容觸摸傳感器的I2C 串行接口可以檢測(cè)觸摸感應(yīng)的結(jié)果,觸摸強(qiáng)度可以被探測(cè),分為低、中
和高三種結(jié)果。

Si12T特性
·工作模式下功耗電流 69.7 μA(@3.3 V)
·睡眠模式下功耗電流 3.5 μA(@3.3 V)
.支持上電復(fù)位

Si12T應(yīng)用
·移動(dòng)應(yīng)用(手機(jī)/PDA/PMP 等)
·薄膜開關(guān)
·控制面板,鍵盤
·門鎖應(yīng)用
·觸摸屏幕應(yīng)用

Si12T額定值:
電池供電電壓 5.0 V
任何 pin 上的大電壓 VDD+0.3
任何 PAD 上的大電流 100 mA
耗散功率 800 mW
貯存溫度 -50 ~ 150 ℃
工作溫度 -20 ~ 75 ℃
結(jié)溫 150 ℃
Si12T低功耗412通道電容傳感器的電氣特性:
VDD = 3.3 V,典型系統(tǒng)頻率(除非特別標(biāo)注),TA = 25℃

標(biāo)簽:Si12T電容傳感器
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