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由于數(shù)值模擬提供了一個近似真實的過程，利用這一技術可以很容易的對任何類型的變化（幾何尺寸、保溫材料、加熱器、環(huán)境等）對晶體質(zhì)量的影響做出容易的判斷。數(shù)值仿真是用來獲得廉價的，完整的和細節(jié)的結(jié)晶過程，以此方法用來預測晶體生長,改善晶體生長技術。舉例來說，對于無經(jīng)驗人員，可以形象化展示熔體流動的歷史點缺陷和熱應力細節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場對晶體直徑，質(zhì)量要求的辦法。面向過程的仿真軟件FEMAG為用戶提供了可以深入研究的數(shù)值工具,用戶通過有效的計算機模擬可以設計和優(yōu)化工作流程。通過對單晶爐熱場的仿真計算，優(yōu)化設計單晶爐的機械結(jié)構(gòu)，在拉晶過程中以仿真結(jié)果設定合理的理論拉晶曲線可以在實際生產(chǎn)中是完全可以生長出合格的單晶硅棒。

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提拉式單晶爐技術參數(shù)1、電源電壓：380VAC±5%2、電源頻率：50HZ 3、電源相數(shù)：3相3線制4、變壓器容量：190KVA5、加熱器加熱功率：160KW6、加熱溫度：1600℃7、加熱器加熱電壓：60V8、冷爐極限真空度：＜a9、晶體直徑：￠6〞～￠8〞10、熔料量 ：90Kg11、主爐室尺寸：φ900×1250mm上爐室尺寸：φ900×900mm下爐室尺寸：φ900×350mm12、翻板閥通徑：φ280mm13、封頭爐蓋高度：410mm14、副爐室尺寸：φ280×250015、籽晶轉(zhuǎn)速范圍：1～40rpm16、籽晶拉速范圍：0.2～8mm/min17、籽晶快速：≥350mm/min18、籽晶在爐內(nèi)有效行程：3500mm19、籽晶在副室內(nèi)有效行程：2100mm20、坩堝升速范圍：0.02～1mm/min21、坩堝快速：≥100mm/min22、坩堝在爐內(nèi)有效行程：400mm23、坩堝轉(zhuǎn)速范圍：1～30rpm24、兩個電極孔孔距：480mm 25、耗水量：25m3/h26、主機占地面積：2500x2000mm27、主機高度：6800mm28、主機重量：約7500Kg分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長爐原理簡介單晶硅生長爐的特點\單晶硅生長爐是通過直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設備。主要由主機、加熱電源和計算機控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機部分：機架，雙立柱\雙層水冷式結(jié)構(gòu)爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)\坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機構(gòu)\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動爐壓檢測控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進口IG及超快恢復二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構(gòu)成新一代高頻開關電源。采用移相全橋軟開關（ZVS）及CPU控制技術，提高了電能轉(zhuǎn)換效率，不需要功率因數(shù)補償裝置。3、計算機控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機，配備大屏幕觸摸式HMI人機界面、高像素CCD測徑 ADC系統(tǒng)和具有知識產(chǎn)權(quán)的“全自動Cz法晶體生長SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉(zhuǎn)肩—等徑—收尾—停爐全過程自動控制。