大面積無壓燒結(jié)銀的主要成分：納米銀粉、有機(jī)載體等，可以栽無壓的條件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面積的芯片。

大面積燒結(jié)銀的導(dǎo)熱系數(shù)為： 200W/m·K， （激光閃射法）；剪切強(qiáng)度為60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

大面積燒結(jié)銀的烘烤曲線
1）從室溫升溫至 80℃，升溫速率 3℃/min。在 80℃保溫 40 分鐘；
2）從 80℃升溫至 130℃，升溫速率 3℃/min。在 130℃保溫 40 分鐘；
3）從 130℃升溫至 200℃，升溫速率 5℃/min。在 200℃保溫 120 分鐘；
4）降溫時(shí)間 60

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大面積燒結(jié)銀AS9378的樣本提供的技術(shù)參數(shù)僅供參考，它們會(huì)隨不同的工況條件，如設(shè)備類型、材質(zhì)、工藝條件等改變。
使用產(chǎn)品之前，請仔細(xì)閱讀材料安全資料，產(chǎn)品及產(chǎn)品使用說明：

由于大面積燒結(jié)銀的的使用條件不在我們的控制范圍之內(nèi)，而且應(yīng)用十分廣泛，因此以下聲明將代替所有的明確或暗示的擔(dān)保（包括對產(chǎn)品性能或適用某一特殊用途的擔(dān)保）：