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設(shè)計(jì)與仿真編輯在直拉法生長(zhǎng)硅單晶的過(guò)程中，硅單晶生長(zhǎng)的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場(chǎng)的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場(chǎng)，不僅硅單晶生長(zhǎng)順利,而且品質(zhì)較高；如果熱場(chǎng)的溫度分布不是很合理，生長(zhǎng)硅單晶的過(guò)程中容易產(chǎn)生各種缺陷，影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長(zhǎng)不出來(lái)單晶。因此在投資硅單晶生長(zhǎng)企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長(zhǎng)設(shè)備，配置出合理的熱場(chǎng),從而保生產(chǎn)出來(lái)的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長(zhǎng)工藝中,一般采用溫度梯度來(lái)描述熱場(chǎng)的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個(gè)低成本的情況下,利用電腦計(jì)算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實(shí)驗(yàn)。

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整個(gè)爐內(nèi)的一氧化硅與的混合氣體(包 括坩堝支持器下方的混合氣體)能通暢地排出爐外，整個(gè)爐內(nèi)不存在排氣 不暢的地方，即不存在排氣死角，既有效地防止了一氧化硅氣體對(duì)加熱器 和坩堝支持器等石墨器件的腐蝕，還可使吸附在這些石墨器件上的雜質(zhì)粉 塵減少30%以上，從而確保了該爐的使用壽命，使所述石墨器件的使用壽 命從原來(lái)的90爐次提高11G爐次以上，另外還可對(duì)硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程起 到穩(wěn)定作用，使平均成品率從原來(lái)的65%提高68%以上，并可提高單晶 的內(nèi)在質(zhì)量。本發(fā)明的氣流導(dǎo)向裝置的一對(duì)通氣孔與該爐的 一對(duì)排氣口相 對(duì)設(shè)置，縮短了排氣管路，利于提高排氣效率。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，爐子本體包括機(jī)架、坩堝驅(qū)動(dòng)裝置、主爐室、翻板閥、副爐室、籽晶提升機(jī)構(gòu)、液壓驅(qū)動(dòng)裝置、真空系統(tǒng)、沖系統(tǒng)及水冷系統(tǒng)。機(jī)架由底座、上立柱和下立柱組成，是爐子的支撐裝置。江浙滬皖贛冶煉行業(yè)成套設(shè)備回收單位，整改停用冶煉機(jī)械產(chǎn)品拆除回收，本長(zhǎng)期收購(gòu)中頻爐，單晶爐，電解爐，高風(fēng)爐，熱風(fēng)爐，單晶硅生長(zhǎng)爐，整改回收，整流柜收購(gòu)，電抗器拆除回收，水冷電纜拆除收購(gòu)，動(dòng)力電纜拆除收購(gòu)業(yè)務(wù)，我長(zhǎng)年收購(gòu)單晶爐設(shè)備歡迎來(lái)電詳詢。