隨機(jī)存取存儲器（英語：Random Access Memory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。

存儲器是數(shù)字系統(tǒng)中用以存儲大量信息的設(shè)備或部件，是計(jì)算機(jī)和數(shù)字設(shè)備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機(jī)存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進(jìn)制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時(shí)間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲器的易失性。

DRAM特點(diǎn)如下： ●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 [8] ●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 [8] ●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 [8] ●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲器。 [8] 盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

沒有任何兩塊被生產(chǎn)出來的網(wǎng)卡擁有同樣的地址。這是因?yàn)殡姎怆娮庸こ處焻f(xié)會（IEEE）負(fù)責(zé)為網(wǎng)絡(luò)接口控制器（網(wǎng)卡）銷售商分配的MAC地址。

網(wǎng)卡上面裝有處理器和存儲器（包括RAM和ROM）。網(wǎng)卡和局域網(wǎng)之間的通信是通過電纜或雙絞線以串行傳輸方式進(jìn)行的。而網(wǎng)卡和計(jì)算機(jī)之間的通信則是通過計(jì)算機(jī)主板上的I/O總線以并行傳輸方式進(jìn)行。因此，網(wǎng)卡的一個(gè)重要功能就是要進(jìn)行串行/并行轉(zhuǎn)換。由于網(wǎng)絡(luò)上的數(shù)據(jù)率和計(jì)算機(jī)總線上的數(shù)據(jù)率并不相同，因此在網(wǎng)卡中裝有對數(shù)據(jù)進(jìn)行緩存的存儲芯片。