KP晶閘管是一種用于控制電流的半導(dǎo)體器件，具有以下功能：
1. 開關(guān)功能：KP晶閘管可以在控制電壓施加時通電，斷電時截止，實現(xiàn)電流的開關(guān)控制。
2. 放大功能：KP晶閘管可以將微弱的控制電流放大為較大的電流，用于控制大功率電路。
3. 可控性：KP晶閘管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)可以通過控制電壓的大小和極性來控制，具有可控性。
4. 高速開關(guān)：KP晶閘管具有快速的開關(guān)速度，可以在毫秒級別的時間內(nèi)完成導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的轉(zhuǎn)換。
5. 低功耗：KP晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的電壓降和功耗，有助于提高電路的效率。
6. 可靠性：KP晶閘管具有較高的耐壓和耐電流能力，可在惡劣的工作環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。
綜上所述，KP晶閘管的功能主要包括開關(guān)功能、放大功能、可控性、高速開關(guān)、低功耗和可靠性。這些功能使得KP晶閘管在電力控制、電子調(diào)速、電磁場控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷；實現(xiàn)將直流電變流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小、、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。
可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。
可控硅有三個----陽(A)、陰(C)和控制(G)，管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)，與只有一個PN結(jié)的硅整流二管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時，只要在控制加上很小的電流或電壓，能控制很大的陽電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
我們可以把從陰向上數(shù)的、二、三層看面是一只N管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽和陰之間加上一個正向電壓E，又在控制G和陰C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個放大了β2倍的集電電流IC2。因為BG2集電與BG1基相連，IC2又是BG1的基電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電電流IC1送回BG2的基放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對可控硅來說，觸發(fā)信號加到控制，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。
可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2)，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電電流小于維持導(dǎo)通的小值時，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果E性反接，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。
可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二管的重要特征。

測量方法
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通） 。
控制極與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

名稱：平板式可控硅的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種平板式可控硅。
背景技術(shù)：
可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優(yōu)點(diǎn)，發(fā)展迅猛。在世紀(jì)應(yīng)用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點(diǎn)是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質(zhì)難控制等特點(diǎn)，其加工要求非常高，且封裝時需要經(jīng)過焊接在內(nèi)的多道工序，工藝復(fù)雜，成本高，封裝后良率偏低，返工需破壞性地拆封。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關(guān)電源、電機(jī)控制、變焊機(jī)、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動裝置、電梯或傳動設(shè)備、機(jī)車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑晤愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關(guān)電源、電機(jī)控制、變焊機(jī)、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動裝置、電梯或傳動設(shè)備、機(jī)車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。

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