富士IGBT模塊通過(guò)幾個(gè)關(guān)鍵特性實(shí)現(xiàn)了這些優(yōu)勢(shì)：

?低損耗?：通過(guò)優(yōu)化IGBT元件以及二極管元件的厚度，實(shí)現(xiàn)了小型化，從而優(yōu)化了元件結(jié)構(gòu)。這降低了變頻器運(yùn)行時(shí)的電力損耗，與以往產(chǎn)品相比，變頻器損耗降低了10%，芯片溫度降低了11℃。

小型化?：利用新開(kāi)發(fā)的絕緣板，提高了模塊的散熱性能，實(shí)現(xiàn)了與以往制品相比約36%的減小，實(shí)現(xiàn)了小型化。
?高溫操作?：通過(guò)對(duì)高可靠性高耐熱封裝和芯片進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了175℃連續(xù)動(dòng)作，與過(guò)去產(chǎn)品相比可進(jìn)一步提高35%的輸出。

此外，富士IGBT模塊還廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中，如UPS、功率調(diào)節(jié)器、空調(diào)、焊機(jī)等，通過(guò)其能和高可靠性，改善了功率因數(shù)和DC/AC轉(zhuǎn)換器電路的性能。特別是，富士電機(jī)開(kāi)發(fā)的RB-IGBT產(chǎn)品，能夠構(gòu)成雙向開(kāi)關(guān)和3電平變頻器電路，進(jìn)一步擴(kuò)展了IGBT模塊的應(yīng)用范圍和效率。


富士IGBT模塊的設(shè)計(jì)和制造充分考慮了高可靠性、大功率的需求，適用于各種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景。這些模塊不僅適用于UPS和通用變頻器，還適用于電力鐵路、大型太陽(yáng)能發(fā)電等需要大范圍轉(zhuǎn)換器容量的應(yīng)用。富士IGBT模塊的設(shè)計(jì)考慮到了基礎(chǔ)設(shè)施用途的高可靠性要求，能夠滿(mǎn)足這些領(lǐng)域?qū)﹄娏D(zhuǎn)換和控制的能需求。


富士IGBT模塊的產(chǎn)品系列包括分立IGBT、IGBT模塊斬波器、IGBT 2-Pack、IGBT模塊6-Pack以及PIM（Power Integrated Module），這些產(chǎn)品根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景的不同需求，提供了多樣化的解決方案。例如，2-Pack內(nèi)置有半橋電路，適用于UPS、通用變頻器、電力鐵路、大型太陽(yáng)能發(fā)電等；而6-Pack則是將3相變頻器電路集成到1個(gè)模塊上，便于緊湊地設(shè)計(jì)主電路。此外，富士還提供了支持T/I型2種3電平電路的IGBT模塊，特別適用于太陽(yáng)能發(fā)電、不間斷電源裝置等用途，通過(guò)采用富士特有的RB-IGBT芯片實(shí)現(xiàn)低損耗和率。


IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。