蝕刻（etching）又稱為光化學蝕刻，是把材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術，可分為濕蝕刻（wet etching）和干蝕刻（dry etching）兩種類型。通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

蝕刻工藝
曝光法：工程根據圖形開出備料尺寸-材料準備-材料清洗-烘干→貼膜或涂布→烘干→曝光→ 顯影→烘干-蝕刻→脫膜→OK

網印法：開料→清洗板材(不銹鋼其它金屬材料)→絲網印→蝕刻→脫膜→OK

側蝕產生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長，（或者使用老式的左右搖擺蝕刻機）側蝕越嚴重。側蝕嚴重影響印制導線的精度，嚴重側蝕將使制作精細導線成為不可能。當側蝕和突沿降低時，蝕刻系數就升高，高的蝕刻系數表示有保持細導線的能力，使蝕刻后的導線接近原圖尺寸。電鍍蝕刻抗蝕劑無論是錫－鉛合金，錫，錫－鎳合金或鎳，突沿過度都會造成導線短路。因為突沿容易斷裂下來，在導線的兩點之間形成電的橋接。

蝕刻技術其特征在于：

1.）蝕刻速率（安培/分鐘）

2.）選擇性：S=蝕刻速率材料1/蝕刻速率據說材料2對材料1比對材料2具有S的選擇性。

3.）各向異性：A=1-橫向蝕刻速率/垂直蝕刻速率

4.）欠切：如果0.8 um的線是由使用1 um的光致抗蝕劑線作為掩模的蝕刻產生的，那么對于該特定的蝕刻，據說工藝偏差是0.1um。
蝕刻是使用強酸切入金屬表面未受保護的部分，以在金屬上產生凹版設計(通過切割、雕刻或雕刻成平面來產生圖像)的過程。作為一種凹版版畫制作方法，它和雕刻一樣，是舊原版版畫重要的技術，至今仍被廣泛使用。