SIMOX技術(shù)的優(yōu)點是：能形成比較均勻的埋層氧化物Burried Oxide—BOX，因為可以通過控制注入能量來控制BOX上硅的厚度；BOX與頂層硅之間的界面也平整。SIMOX技術(shù)的缺點是：BOX和頂層硅的厚度只能在有限的范圍內(nèi)進行調(diào)整，BOX的厚度通常不超過240nm（厚度太薄會導(dǎo)致頂層與襯底擊穿，頂層硅薄膜和襯底之間的寄生電容會增加），而頂層硅薄膜厚度不超過300nm（厚度不夠，需要進行硅的外延來補足，然后CMP平坦化處理，成本過高）；另外，SIMOX還會造成表層薄膜損傷，頂層硅薄膜的晶體質(zhì)量不及體單晶硅，埋層SiO2的晶體質(zhì)量不如熱氧化生長的SiO2；SIMOX需要用上昂貴的大束流注氧離子注入機，還需要長時間的高溫退火工藝，成本較高。
詳情介紹：
高速光開關(guān)陣列的特點：本系列光開關(guān)產(chǎn)品為集成式低損耗，無阻斷高速光開關(guān)陣列，可用于高速光切換，網(wǎng)絡(luò)配置及光學(xué)包交換。
高集成化光開關(guān)，作為實現(xiàn)全光交換功能的核心部件，目前國內(nèi)普遍采用單器件級聯(lián)拼接的方式實現(xiàn)矩陣化。這種方案在其指標、工藝要求、產(chǎn)品可靠性及成本等方面形成瓶頸，導(dǎo)致國內(nèi)全光交換應(yīng)用在推廣性、發(fā)展難以突破。
為了對短時間大視場一維光強信息進行采集,采用編碼轉(zhuǎn)換技術(shù)和自聚焦透鏡矩形陣列設(shè)計了光開關(guān),用小口徑電光晶體實現(xiàn)了大視場的測量.采用MOS管級聯(lián)的高壓同步電路,使得系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、、壽命長等優(yōu)點.實驗結(jié)果表明:開關(guān)選通時間100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
品名稱：NxN速光開關(guān)
產(chǎn)品簡介：
高速鈮酸速光開光具有的開關(guān)速度（標準產(chǎn)品是10ns，速產(chǎn)品為<100ps），較低的插損（標準插損3.5dB，插損型號為2dB），高開關(guān)速率為亞納秒，標準產(chǎn)品為10ns開關(guān)速率，產(chǎn)品也適合領(lǐng)域的微波通信用途。通道數(shù)可定制！
光電倍增管Photomultiplier Modules
產(chǎn)品特性：
兩種波段可選：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm
可提供倍增管接口組件
具有防靜電和消磁作用
變換增益：陽電流1 V/μA
鏈構(gòu)型環(huán)形電
封裝與SM1螺紋匹配
封裝含4個螺紋孔，與ER系列籠桿匹配
支桿可安裝于3種不同組件
120V電源供應(yīng)（230V可選）
SMA輸出
