DTS+TCB預燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高，成為時下火爆的發(fā)展領域之一。

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應用于電動車逆變器SiC導線架技術為例，導線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術，

目前，客戶存的大痛點是鍵合時良率低，善仁新材推出的DTS預燒結(jié)焊片優(yōu)勢是：提高芯片的通流能力和功率循環(huán)能力，保護芯片以實現(xiàn)高良率的銅線鍵合。