二硫化鉬是一種無機物，化學式為MoS2，是輝鉬礦的主要成分。黑色固體粉末，有金屬光澤。熔點2375℃，密度4.80g/cm3（14℃），莫氏硬度1.0～1.5。

輝鉬礦的主要成分。黑色固體粉末，有金屬光澤?；瘜W式MoS2，熔點2375℃，密度4.80g/cm3（14℃），莫氏硬度1.0～1.5。 [1]1370℃開始分解，1600℃分解為金屬鉬和硫。315℃在空氣中加熱時開始被氧化，溫度升高，氧化反應加快。二硫化鉬不溶于水、稀酸和濃硫酸，一般不溶于其他酸、堿、有機溶劑中，但溶于王水和煮沸的濃硫酸。

二硫化鉬還可成為制作晶體管的新型材料。相較于同屬二維材料的石墨烯，二硫化鉬擁有1.8eV的能帶隙,而石墨烯則不存在能帶隙，因此，二硫化鉬可能在納米晶體管領域擁有很廣闊的應用空間。 而且單層二硫化鉬晶體管的電子遷移率高可達約500 cm^2/(V·s), 電流開關率達到1×10^8.

隔離泄漏污染區(qū)，限制出入。切斷火源。建議應急處理人員戴防塵面具（全面罩），穿防毒服。避免揚塵，小心掃起，置于袋中轉移至安全場所。若大量泄漏，用塑料布、帆布覆蓋。收集回收或運至廢物處理場所處置。

二硫化鉬于2008年合成，是叫作過渡金屬二硫化物材料（TMDs）大家族的成員之一。這個顯得有點“花哨”的名字代表了它們的結構：一個過渡金屬原子（即鉬原子）和一對包括硫元素、硒元素在內的來自元素周期表第16列的原子（該元素家族以氧族元素著稱）。

讓電子制造者驚喜的是，所有TMDs均是半導體。它們和石墨烯的薄度近乎相同（在二硫化鉬中，兩層硫原子把一層鉬原子像“三明治”那樣夾在中間），但是它們卻有其他優(yōu)點。就二硫化鉬而言，優(yōu)點之一是電子在平面薄片中的運行速度，即電子遷移率。二硫化鉬的電子遷移速率大約是100cm2/vs（即每平方厘米每伏秒通過100個電子），這遠低于晶體硅的電子遷移速率1400 cm2/vs ，但是比非晶硅和其他超薄半導體的遷移速度更好，科學家正在研究這些材料，使其用于未來電子產品，如柔性顯示屏和其他可以靈活伸展的電子產品。