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設(shè)計(jì)與仿真編輯在直拉法生長(zhǎng)硅單晶的過(guò)程中，硅單晶生長(zhǎng)的成功與否以及質(zhì)量的高低是由熱場(chǎng)的溫度分布決定的。溫度分布合適的熱場(chǎng)，不僅硅單晶生長(zhǎng)順利,而且品質(zhì)較高；如果熱場(chǎng)的溫度分布不是很合理，生長(zhǎng)硅單晶的過(guò)程中容易產(chǎn)生各種缺陷，影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長(zhǎng)不出來(lái)單晶。因此在投資硅單晶生長(zhǎng)企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長(zhǎng)設(shè)備，配置出合理的熱場(chǎng),從而保生產(chǎn)出來(lái)的硅單晶的品質(zhì)。在直拉硅單晶生長(zhǎng)工藝中,一般采用溫度梯度來(lái)描述熱場(chǎng)的溫度分布情況，其中在固液界面處的溫度梯度為關(guān)鍵。數(shù)值模擬是在一個(gè)低成本的情況下,利用電腦計(jì)算提供的詳盡資料，用以支持真正的（且昂貴）實(shí)驗(yàn)。

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除塵器內(nèi)的空間由圓柱容器經(jīng)上、下蓋密封形成，整個(gè)空間分成兩大區(qū)域：除塵區(qū)域和排氣區(qū)域。含塵氣流由切線進(jìn)氣口進(jìn)入除塵區(qū)域，沿外壁由下而上螺旋形旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。氣流作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí)，塵粒在慣性離心力的推動(dòng)下，要向圓柱容器內(nèi)壁移動(dòng)。到達(dá)內(nèi)壁的塵粒在氣流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。這種情況，離心力是除塵器的主要作用力，塵粒與氣流分離界面是圓柱容器的內(nèi)壁。還有，圓柱容器內(nèi)設(shè)置內(nèi)外兩層金屬網(wǎng)，內(nèi)層金屬網(wǎng)纏繞于內(nèi)側(cè)的6 根金屬桿上。外層金屬網(wǎng)纏繞于外側(cè)的8 根金屬桿上。這14 根金屬桿被固定在上盤(pán)和盤(pán)上。它們固聯(lián)于圓柱容器上法蘭。圓柱容器設(shè)置的排氣筒是排氣區(qū)域。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉式單晶爐設(shè)備回類(lèi)、二手單晶爐設(shè)備、單晶硅爐、整流柜、補(bǔ)償柜回收、電力柜回收、整流柜回收、電源柜回收、高頻電爐、中頻電爐、電爐感應(yīng)爐、單晶爐、單晶硅爐、電力鍋爐、中頻爐回收、高風(fēng)爐回收、井式爐回收、熔鋁爐回收、熔銅爐回收、主要產(chǎn)品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。單晶硅生長(zhǎng)爐行業(yè)，主要產(chǎn)品有TDR80A-ZJS、TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR8-ZJS、TDR9-ZJS、TDR112A-ZJS。